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静态随机存取存储器内建自测试电路的研究与设计

摘要第3-4页
Abstract第4页
第1章 绪论第8-22页
    1.1 研究背景第8-9页
        1.1.1 SoC和IP核复用技术第8页
        1.1.2 可测试性设计第8-9页
        1.1.3 存储器的测试第9页
    1.2 存储器的测试方法第9-12页
        1.2.1 直接存取测试第10页
        1.2.2 宏测试第10-11页
        1.2.3 存储器内建则测试(MBIST)第11页
        1.2.4 各种测试方法的比较第11-12页
    1.3 MBIST系统第12-20页
        1.3.1 比较器和压缩器第12-14页
        1.3.2 时钟方案第14-16页
        1.3.3 并行测试和串行测试第16-18页
        1.3.4 MBIST全速测试第18-20页
        1.3.5 MBIST电路的优缺点第20页
    1.4 论文的研究内容第20-22页
第2章 存储器的故障和测试算法第22-29页
    2.1 存储器的类型第22页
    2.2 存储器的故障第22-23页
        2.2.1 故障分类第22-23页
        2.2.2 故障机理第23页
    2.3 存储器的常见故障模型第23-27页
        2.3.1 存储单元阵列故障第24-26页
        2.3.2 周边电路逻辑故障第26-27页
    2.4 存储器的测试算法第27-29页
        2.4.1 算法的复杂度和覆盖率第27页
        2.4.2 存储器测试经典算法第27-29页
第3章 内建自测试March算法的研究第29-41页
    3.1 March算法第29-31页
        3.1.1 March算法的语法定义第29-30页
        3.1.2 常见的March算法第30-31页
    3.2 SRAM常见故障的分析第31-35页
        3.2.1 单一单元故障分析第32-33页
        3.2.2 双单元故障分析第33-35页
    3.3 March CP算法第35-36页
        3.3.1 算法定义第35页
        3.3.2 算法的故障覆盖率第35-36页
    3.4 March CP算法的电路实现第36-37页
        3.4.1 存储器建模和算法的定义第36-37页
        3.4.2 电路的生成第37页
    3.5 仿真验证第37-41页
        3.5.1 算法仿真第37-38页
        3.5.2 波形描述第38-41页
第4章 SRAM内建自测试电路的设计第41-50页
    4.1 电路的结构第41-42页
    4.2 工作原理第42-43页
    4.3 分析与比较第43-44页
    4.4 电路的仿真验证第44-50页
        4.4.1 仿真验证第44-46页
        4.4.2 波形描述第46-50页
第5章 总结与展望第50-51页
参考文献第51-54页
附录1 512x32的SRAM模型第54-56页
附录2 March CP算法文件第56-58页
图表目录第58-60页
致谢第60-61页
攻读硕士期间发表的论文第61页

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