| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 引言 | 第11-18页 |
| 1.1.1 MoS_2的结构 | 第11-13页 |
| 1.1.2 MoS_2的应用 | 第13-18页 |
| 1.2 MoS_2的制备方法 | 第18-25页 |
| 1.2.1“自上而下”的制备方法 | 第19-22页 |
| 1.2.2“自下而上”的制备方法 | 第22-25页 |
| 1.3 MoS_2的气敏性能研究现状 | 第25-29页 |
| 1.4 选题意义及主要研究内容 | 第29-32页 |
| 1.4.1 选题意义 | 第29-30页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第30-32页 |
| 2 实验材料设备及表征技术 | 第32-40页 |
| 2.1 实验试剂及设备 | 第32-34页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第32页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第32-34页 |
| 2.2 表征技术 | 第34-40页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第34-35页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪 | 第35-36页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第36-37页 |
| 2.2.4 拉曼光谱仪 | 第37页 |
| 2.2.5 原子力显微镜 | 第37-38页 |
| 2.2.6 光致发光光谱仪 | 第38-39页 |
| 2.2.7 透射电子显微镜 | 第39-40页 |
| 3 CVD法制备MoS_2薄膜 | 第40-64页 |
| 3.1 一步法制备MoS_2薄膜 | 第40-58页 |
| 3.1.1 一步法实验过程 | 第40页 |
| 3.1.2 产物位置分布介绍 | 第40-43页 |
| 3.1.3 不同生长条件对MoS_2薄膜制备的影响 | 第43-51页 |
| 3.1.4 生长原理分析 | 第51-53页 |
| 3.1.5 单层或少层MoS_2薄膜的表征 | 第53-58页 |
| 3.2 两步法制备MoS_2薄膜 | 第58-62页 |
| 3.2.1 两步法实验过程 | 第58-59页 |
| 3.2.2 两步法制备的MoS_2薄膜的表征 | 第59-62页 |
| 3.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 4 MoS_2的气敏性能研究 | 第64-76页 |
| 4.1 MoS_2气敏器件的制作 | 第64页 |
| 4.2 MoS_2的气敏性能测试 | 第64-70页 |
| 4.2.1 气敏测试系统简介 | 第64-66页 |
| 4.2.2 温度对MoS_2气敏器件的影响 | 第66-67页 |
| 4.2.3 MoS_2气敏器件的选择性 | 第67页 |
| 4.2.4 MoS_2气敏器件的灵敏度 | 第67-70页 |
| 4.2.5 MoS_2气敏器件的响应恢复时间 | 第70页 |
| 4.3 气敏性能的改善方法及改善后的气敏性能 | 第70-75页 |
| 4.3.1 气敏性能的改善方法 | 第70-72页 |
| 4.3.2 MoS_2-Pt气敏器件的选择性 | 第72页 |
| 4.3.3 MoS_2-Pt气敏器件的灵敏度 | 第72-74页 |
| 4.3.4 MoS_2-Pt气敏器件的响应恢复时间 | 第74-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 5 结论与展望 | 第76-78页 |
| 5.1 结论 | 第76页 |
| 5.2 展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 个人简历及硕士期间发表的论文 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |