大功率IGBT芯片与DBC纳米银膏低温烧结接头组织与性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 功率电子器件的发展 | 第9-12页 |
| 1.2.1 功率电子器件技术发展 | 第9-10页 |
| 1.2.2 功率电子器件材料发展 | 第10-11页 |
| 1.2.3 IGBT简介 | 第11-12页 |
| 1.3 IGBT功率模块封装技术研究 | 第12-16页 |
| 1.3.1 功率模块封装结构 | 第12-13页 |
| 1.3.2 芯片表面互连技术 | 第13-14页 |
| 1.3.3 芯片界面互连技术 | 第14-16页 |
| 1.4 本文的研究意义及主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 实验方法及设备 | 第18-26页 |
| 2.1 纳米银膏烧结工艺 | 第18-22页 |
| 2.1.1 材料 | 第18-19页 |
| 2.1.2 无压烧结试样制备 | 第19-21页 |
| 2.1.3 压力烧结试样制备 | 第21页 |
| 2.1.4 银膏热特性、剪切强度及微观组织分析 | 第21-22页 |
| 2.2 芯片/DBC接头时效老化研究 | 第22页 |
| 2.3 实验设备 | 第22-26页 |
| 2.3.1 可编程数字加热台 | 第22-23页 |
| 2.3.2 剪切试验机 | 第23-24页 |
| 2.3.3 氮气回流焊机 | 第24-25页 |
| 2.3.4 X射线扫描仪 | 第25-26页 |
| 第三章 纳米银膏低温烧结工艺研究 | 第26-41页 |
| 3.1 超声辅助纳米银膏无压烧结 | 第26-35页 |
| 3.1.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.1.2 纳米银焊膏的热特性 | 第27-29页 |
| 3.1.3 超声振动对无压烧结银膏微观组织的影响 | 第29-30页 |
| 3.1.4 超声振动对纳米银膏无压烧结接头的影响 | 第30-35页 |
| 3.2 纳米银焊膏压力烧结 | 第35-39页 |
| 3.2.1 独立加载恒压烧结夹具 | 第35-36页 |
| 3.2.2 压力烧结工艺研究 | 第36-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 芯片/DBC接头高温时效研究 | 第41-50页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 钎焊接头在时效处理下的可靠性 | 第42-46页 |
| 4.3 烧结接头在时效处理下的可靠性 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 结论与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 结论 | 第50-51页 |
| 5.2 展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
