| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 前言 | 第10页 |
| 1.2 场效应晶体管的发展 | 第10-12页 |
| 1.3 半导体量子点材料的低维特性 | 第12-14页 |
| 1.3.1 量子尺寸效应 | 第12-13页 |
| 1.3.2 多激子产生效应 | 第13-14页 |
| 1.3.3 表面效应 | 第14页 |
| 1.4 IV-VI族胶体量子点概述 | 第14-19页 |
| 1.4.1 IV-VI族胶体量子研究进展 | 第14-17页 |
| 1.4.2 IV-VI族胶体量子点的应用 | 第17-19页 |
| 1.5 前景小结 | 第19页 |
| 1.6 本论文的研究目的 | 第19页 |
| 1.7 本论文的选题背景 | 第19页 |
| 1.8 本论文研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 基于场效应晶体管结构的基础理论 | 第21-29页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 场效应晶体管的分类 | 第21-22页 |
| 2.3 场效应晶体管的结构及工作原理 | 第22-29页 |
| 2.3.1 场效应晶体管的结构 | 第22页 |
| 2.3.2 场效应晶体管的工作原理 | 第22-23页 |
| 2.3.3 MOS管的特性曲线 | 第23-25页 |
| 2.3.4 场效应晶体管的重要特征参数 | 第25-27页 |
| 2.3.5 光敏场效应晶体管的重要参数 | 第27-29页 |
| 第3章 PbSe量子点的合成及表征 | 第29-36页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 实验所用仪器及药品 | 第30页 |
| 3.2.1 实验仪器 | 第30页 |
| 3.2.2 实验药品 | 第30页 |
| 3.3 稳定性较好的PbSe量子点合成的过程 | 第30-33页 |
| 3.4 PbSe量子点的表征及结果分析 | 第33-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 基于PbSe量子点的光电探测器的制备与表征 | 第36-49页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 器件结构示意图 | 第36页 |
| 4.3 器件制备过程 | 第36-41页 |
| 4.3.1 实验仪器和药品 | 第36页 |
| 4.3.2 材料准备以及基底清洗 | 第36-38页 |
| 4.3.3 有源层的制备 | 第38-39页 |
| 4.3.4 绝缘层的制备 | 第39-40页 |
| 4.3.5 电极的蒸镀 | 第40-41页 |
| 4.4 器件表征结果与分析 | 第41-48页 |
| 4.4.1 I-V曲线测试结果与分析 | 第41-44页 |
| 4.4.2 器件光学性能测试 | 第44-47页 |
| 4.4.3 器件稳定性的测试 | 第47-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-58页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |