| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 磁电阻效应(Magnetoresistance Effect) | 第9-11页 |
| 1.1.1 各向异性磁电阻效应(Anisotropic Magneto resistance,AMR) | 第9-10页 |
| 1.1.2 巨磁电阻效应(Giant Magnetoresistance,GMR) | 第10页 |
| 1.1.3 隧穿磁电阻效应(Tunneling Magnetoresistance,TMR) | 第10-11页 |
| 1.1.4 庞磁电阻效应(Colossal Magneto resistance,CMR) | 第11页 |
| 1.2 TMR效应的物理机制-Julliere模型 | 第11-12页 |
| 1.3 垂直各向异性磁性隧道结 | 第12-16页 |
| 1.3.1 垂直各向异性的起源 | 第12-15页 |
| 1.3.2 垂直各向异性隧道结(P-MTJs)在MRAM中的应用 | 第15-16页 |
| 1.4 具有垂直各向异性的Ta\CoFeB\MgO结构磁性薄膜 | 第16-18页 |
| 1.5 本论文研究目的及内容 | 第18-19页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征 | 第19-29页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第19-23页 |
| 2.1.1 磁控溅射的原理与方法 | 第19-21页 |
| 2.1.2 薄膜的生长方式 | 第21-22页 |
| 2.1.3 薄膜沉积系统 | 第22-23页 |
| 2.1.4 基片的选择及处理 | 第23页 |
| 2.2 薄膜的结构与性质表征方法 | 第23-27页 |
| 2.2.1 振动样品磁强计 | 第23-24页 |
| 2.2.2 原子力显微镜与磁力显微镜 | 第24-26页 |
| 2.2.3 电子自旋共振(Electron Spin-resonance Spectroscopy,ESR) | 第26-27页 |
| 2.3 反常霍尔效应测试 | 第27-29页 |
| 第三章 Ta\CoFeB\MgO\Ta与MgO\CoFeB\Ta结构薄膜的磁性 | 第29-50页 |
| 3.1 薄膜厚度对垂直各向异性的影响 | 第29-31页 |
| 3.2 基片\MgO\CoFeB\Ta结构薄膜的磁性研究 | 第31-33页 |
| 3.3 磁性隧道结结构CoFeB\MgO\CoFeB薄膜的磁性 | 第33-35页 |
| 3.4 真空退火对Ta(1 nm)\CoFeB(x)\MgO(1.0 nm)\Ta(1.0 nm)样品磁性的影响 | 第35-37页 |
| 3.5 利用反常霍尔效应测试Ta\CoFeB\MgO\Ta结构样品的面内有效饱和场 | 第37-39页 |
| 3.6 退火条件对Ta\CoFeB\MgO\Ta结构样品垂直各向异性的影响 | 第39-47页 |
| 3.6.1 不同退火温度对面内有效饱和场的影响 | 第39-42页 |
| 3.6.2 不同退火温度对样品饱和磁化强度M_s的影响 | 第42-44页 |
| 3.6.3 有效各向异性常数K_(eff)随着退火温度的变化 | 第44-45页 |
| 3.6.4 磁场中退火对薄膜性质的影响 | 第45-47页 |
| 3.7 利用铁磁共振方法测量各向异性 | 第47-48页 |
| 3.8 本章小节 | 第48-50页 |
| 第四章 [Ta\CoFeB\MgO]_N多周期薄膜的磁性 | 第50-63页 |
| 4.1 CoFeB厚度对磁性薄膜垂直各向异性的影响 | 第50-51页 |
| 4.2 周期数变化对Ta\CoFeB\MgO结构薄膜垂直各向异性的影响 | 第51-54页 |
| 4.3 Ta(5 nm)\CoFeB(1.1 nm)\MgO(1 nm)不同重复周期的磁畴结构 | 第54-58页 |
| 4.4 不同Ta厚度下[Ta(x)\CoFeB(1.1 nm)\MgO(1.0 nm)]×6结构的磁性变化 | 第58-61页 |
| 4.5 本章小节 | 第61-63页 |
| 第五章 主要结论及工作展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 在学期间的研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
