| 摘要 | 第11-13页 |
| ABSTRACT | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第18-38页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第18-25页 |
| 1.1.1 单粒子效应是集成电路软错误的主要诱因 | 第19-20页 |
| 1.1.2 SEU和MCU是SRAM软错误主要来源 | 第20-22页 |
| 1.1.3 3D SRAM软错误研究需求迫切 | 第22-25页 |
| 1.2 国内外相关研究 | 第25-33页 |
| 1.2.1 SRAM单元的SEU机理研究 | 第25-30页 |
| 1.2.2 3D SRAM中SEU和软错误特性分析 | 第30-33页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第33-35页 |
| 1.4 本文组织结构 | 第35-38页 |
| 第二章 电荷共享对SRAM单元SEU敏感性的影响 | 第38-48页 |
| 2.1 引言 | 第38页 |
| 2.2 模拟设置 | 第38-41页 |
| 2.3 模拟结果与分析 | 第41-42页 |
| 2.4 模拟结果讨论 | 第42-46页 |
| 2.4.1 电荷共享对NMOS的SEU敏感性影响 | 第43-44页 |
| 2.4.2 电荷共享对PMOS的SEU敏感性影响 | 第44-45页 |
| 2.4.3 PMOS和NMOS的SEU敏感性对比 | 第45-46页 |
| 2.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 SRAM单元的SEUR机理与增强方法研究 | 第48-72页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 关态PMOS和开态PMOS间电荷共享导致的SEUR研究 | 第49-59页 |
| 3.2.1 机理分析 | 第49-52页 |
| 3.2.2 SEUR增强型版图布局方法研究 | 第52-59页 |
| 3.3 关态PMOS和开态NMOS间电荷共享导致的SEUR研究 | 第59-69页 |
| 3.3.1 机理分析 | 第59-64页 |
| 3.3.2 SEUR影响因素分析 | 第64-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-72页 |
| 第四章 3D SRAM堆叠结构对软错误特性的影响 | 第72-92页 |
| 4.1 引言 | 第72-73页 |
| 4.2 重离子在三维堆叠结构中的射程 | 第73-76页 |
| 4.2.1 辐照环境中的单粒子源简介 | 第73-74页 |
| 4.2.2 模拟设置和模拟结果 | 第74-76页 |
| 4.2.3 重离子射程分析 | 第76页 |
| 4.3 三维堆叠结构中各层管芯的软错误特性分析 | 第76-84页 |
| 4.3.1 模拟设置 | 第76-78页 |
| 4.3.2 模拟结果 | 第78-80页 |
| 4.3.3 不同重离子种类下各层管芯的软错误特性分析 | 第80页 |
| 4.3.4 不同入射能量下各层管芯的软错误特性分析 | 第80-84页 |
| 4.4 TSV对软错误特性的影响 | 第84-90页 |
| 4.4.1 TSV对单粒子的阻碍作用 | 第84-86页 |
| 4.4.2 TSV对翻转截面的影响 | 第86-90页 |
| 4.5 本章小结 | 第90-92页 |
| 第五章 3D SRAM软错误分析平台 | 第92-102页 |
| 5.1 引言 | 第92页 |
| 5.2 平台框架 | 第92-94页 |
| 5.3 平台设计 | 第94-100页 |
| 5.3.1 3D SRAM模型建立与参数提取 | 第94-95页 |
| 5.3.2 激励电流源的提取与插入 | 第95-96页 |
| 5.3.3 电路级行为模拟 | 第96-98页 |
| 5.3.4 评估体系 | 第98-99页 |
| 5.3.5 模拟加速 | 第99-100页 |
| 5.4 平台验证 | 第100页 |
| 5.5 本章小结 | 第100-102页 |
| 第六章 3D SRAM软错误特性研究 | 第102-120页 |
| 6.1 引言 | 第102页 |
| 6.2 3D SRAM设计 | 第102-106页 |
| 6.2.1 划分方法简介 | 第102-104页 |
| 6.2.2 设计与实现 | 第104-106页 |
| 6.3 3D SRAM软错误特性分析 | 第106-118页 |
| 6.3.1 垂直轰击下的静态分析 | 第106-109页 |
| 6.3.2 垂直轰击下的动态分析 | 第109-112页 |
| 6.3.3 随机入射角轰击下的静态分析 | 第112-115页 |
| 6.3.4 随机入射角轰击下的动态分析 | 第115-118页 |
| 6.4 本章小结 | 第118-120页 |
| 第七章 结束语 | 第120-124页 |
| 7.1 工作总结 | 第120-122页 |
| 7.2 未来研究方向 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-140页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第140-142页 |
