| 摘要 | 第3-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第17-35页 |
| 1.1 物理和拓扑 | 第17-19页 |
| 1.2 拓扑序在凝聚态物理中的发展 | 第19-23页 |
| 1.3 三维拓扑绝缘体的能带结构 | 第23-26页 |
| 1.4 三维拓扑绝缘体的输运性质 | 第26-28页 |
| 1.5 Majorana费米子和拓扑量子计算 | 第28-34页 |
| 1.6 本文研究动机 | 第34-35页 |
| 第二章 拓扑绝缘体Bi_2Se_3纳米线的生长和器件制作 | 第35-45页 |
| 2.1 基本方法 | 第35-39页 |
| 2.1.1 样品生长 | 第35-38页 |
| 2.1.2 电子束光刻以及镀膜 | 第38-39页 |
| 2.2 CVD方法制备Bi_2Se_3纳米线 | 第39-41页 |
| 2.3 电极的制作 | 第41-45页 |
| 第三章 拓扑绝缘体Bi_2Se_3纳米线的磁阻以及自旋极化现象 | 第45-51页 |
| 3.1 拓扑绝缘体中自旋极化现象 | 第45-47页 |
| 3.2 极低温下Bi_2Se_3纳米线中的磁滞现象 | 第47-51页 |
| 第四章 拓扑绝缘体Bi_2Se_3纳米线的临近效应 | 第51-73页 |
| 4.1 临近效应和约瑟夫森效应 | 第51-58页 |
| 4.1.1 Andreev反射和超导临近效应 | 第51-56页 |
| 4.1.2 约瑟夫森结和约瑟夫森效应 | 第56-58页 |
| 4.2 拓扑绝缘体Bi_2Se_3纳米线中的直流约瑟夫森效应 | 第58-68页 |
| 4.2.1 铝电极基本表征 | 第58-60页 |
| 4.2.2 Bi_2Se_3纳米线中的磁场增强的超导临近效应 | 第60-65页 |
| 4.2.3 可能的起源 | 第65-68页 |
| 4.3 拓扑绝缘体Bi_2Se_3纳米线中的交流约瑟夫森效应 | 第68-70页 |
| 4.4 总结和展望 | 第70-73页 |
| 第五章 拓扑绝缘体Bi_2Se_3纳米线的散粒噪声测量 | 第73-83页 |
| 5.1 散粒噪声测量基本原理 | 第73-75页 |
| 5.2 低温放大器制作和低噪声测量线路改造 | 第75-78页 |
| 5.3 拓扑绝缘体Bi_2Se_3纳米线中的Shot Noise。 | 第78-80页 |
| 5.4 展望 | 第80-83页 |
| 第六章 拓扑绝缘体纳米线应用展望 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-95页 |
| 个人简历 | 第95-97页 |
| 发表文章目录 | 第97-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
