| 摘要 | 第6-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第15-40页 |
| 1.1 等离子体概述 | 第15-19页 |
| 1.1.1 等离子体起源和发展 | 第16页 |
| 1.1.2 等离子体分类 | 第16-17页 |
| 1.1.3 等离子体应用 | 第17-19页 |
| 1.2 大气压DBD等离子体 | 第19-20页 |
| 1.3 PI薄膜表面改性研究现状 | 第20-21页 |
| 1.4 微纳米结构材料光学性能研究现状 | 第21-28页 |
| 1.4.1 微纳米结构材料光学响应机理 | 第22-25页 |
| 1.4.2 光学响应微纳米结构材料常用制备方法 | 第25-28页 |
| 1.5 论文的研究内容及意义 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-40页 |
| 第二章 实验系统介绍 | 第40-51页 |
| 2.1 实验装置及材料介绍 | 第40-45页 |
| 2.1.1 DBD等离子体放电系统 | 第40-43页 |
| 2.1.2 光学响应观察系统 | 第43-44页 |
| 2.1.3 实验材料及试样准备 | 第44-45页 |
| 2.2 大气压DBD等离子体放电诊断 | 第45-47页 |
| 2.3 材料分析测试方法 | 第47-50页 |
| 2.3.1 双目连续变倍体视显微镜 | 第47页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第47-48页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第48页 |
| 2.3.4 傅里叶变换红外光谱仪 | 第48页 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱分析 | 第48-49页 |
| 2.3.6 X射线能量色散谱仪 | 第49页 |
| 2.3.7 接触角测定仪 | 第49-50页 |
| 2.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 大气压DBD等离子体刻蚀对PI基片活化作用 | 第51-68页 |
| 3.1 等离子体刻蚀对PI基片活化机理探讨 | 第51-58页 |
| 3.1.1 DBD电学特性的研究 | 第52-53页 |
| 3.1.2 放电时间对PI基片表面化学成分的影响 | 第53-55页 |
| 3.1.3 放电时间对PI基片表面形貌的影响 | 第55-56页 |
| 3.1.4 放电时间对PI基片表面亲水性的影响 | 第56-57页 |
| 3.1.5 等离子体活化PI基片机理 | 第57-58页 |
| 3.2 等离子体刻蚀对PI基片活化过程控制 | 第58-62页 |
| 3.2.1 PI基片物理形貌及影响因素 | 第58-60页 |
| 3.2.2 PI基片表面化学结构及影响因素 | 第60-61页 |
| 3.2.3 PI基片表面亲水性及影响因素 | 第61-62页 |
| 3.3 PI基片活化时效性研究 | 第62-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 第四章 大气压DBD等离子体沉积SiO_xC_yH_z颗粒/平整薄膜 | 第68-77页 |
| 4.1 SiO_xC_yH_z颗粒薄膜物理制备及表面性能测试 | 第69-71页 |
| 4.2 SiO_xC_yH_z平整薄膜物理制备及影响因素 | 第71-74页 |
| 4.3 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 第五章 大气压DBD等离子体沉积SiO_xC_yH_z褶皱薄膜 | 第77-94页 |
| 5.1 SiO_xC_yH_z褶皱薄膜成型机理 | 第77-86页 |
| 5.1.1 基片模量及温度对SiO_xC_yH_z褶皱薄膜的影响 | 第78-80页 |
| 5.1.2 放电气氛对SiO_xC_yH_z褶皱薄膜的影响 | 第80-82页 |
| 5.1.3 SiO_xC_yH_z褶皱薄膜正反面化学成分分析 | 第82-86页 |
| 5.2 SiO_xC_yH_z褶皱薄膜生长过程 | 第86-91页 |
| 5.3 本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第六章 SiO_xC_yH_z褶皱薄膜光学性能研究 | 第94-104页 |
| 6.1 单/双取向SiO_xC_yH_z褶皱薄膜光学响应 | 第96-97页 |
| 6.2 Z字形SiO_xC_yH_z褶皱薄膜光学响应 | 第97-99页 |
| 6.3 各向同性SiO_xC_yH_z褶皱薄膜光学响应 | 第99-101页 |
| 6.4 大尺寸SiO_xC_yH_z褶皱光学响应 | 第101-102页 |
| 6.5 本章小结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-104页 |
| 第七章 结论和展望 | 第104-108页 |
| 7.1 结论 | 第104-106页 |
| 7.2 创新点 | 第106页 |
| 7.3 展望 | 第106-108页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及专利 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109页 |
