空位缺陷磷烯的电子结构及磁性研究:双轴应变的调制作用
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-16页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 磷的同素异形体 | 第9-11页 |
1.3 黑磷的结构 | 第11-15页 |
1.3.1 磷烯的制备 | 第12-13页 |
1.3.2 磷烯的性质和应用 | 第13-14页 |
1.3.3 应变、缺陷对二维材料物理性质的影响 | 第14-15页 |
1.4 本论文的研究目的和内容 | 第15-16页 |
第2章 理论基础和计算方法 | 第16-20页 |
2.1 密度泛函理论 | 第16-18页 |
2.1.1 绝热近似 | 第16页 |
2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第16-18页 |
2.1.3 交换关联泛函 | 第18页 |
2.2 计算软件简介 | 第18-20页 |
第3章 双轴应变对缺陷磷烯非自旋电子结构的调制 | 第20-35页 |
3.1 引言 | 第20-21页 |
3.2 计算理论与方法 | 第21页 |
3.3 结果与讨论 | 第21-33页 |
3.3.1 缺陷磷烯的稳定性研究 | 第21-23页 |
3.3.2 单空位及其应变调制 | 第23-28页 |
3.3.3 双空位及其应变调制 | 第28-33页 |
3.4 本章小结 | 第33-35页 |
第4章 双轴应变对缺陷磷烯磁性的调制 | 第35-45页 |
4.1 引言 | 第35-36页 |
4.2 计算方法与模型 | 第36-37页 |
4.3 计算结果与分析 | 第37-44页 |
4.3.1 系统稳定性、磁性特征 | 第37-39页 |
4.3.2 双轴应变对缺陷结构的影响 | 第39-40页 |
4.3.3 双轴应变对能带的影响 | 第40-42页 |
4.3.4 双轴应变对缺陷附近原子PDOS的影响 | 第42-44页 |
4.4 本章小结 | 第44-45页 |
第5章 总结与展望 | 第45-46页 |
5.1 论文总结 | 第45页 |
5.2 工作展望 | 第45-46页 |
参考文献 | 第46-51页 |
致谢 | 第51-52页 |
攻读硕士期间发表的学术论文及研究成果 | 第52页 |