| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 铁电材料 | 第11-16页 |
| 1.2.1 铁电材料的发展 | 第11-13页 |
| 1.2.2 铁电材料的介绍 | 第13-15页 |
| 1.2.3 铁电材料的分类 | 第15-16页 |
| 1.3 铁电薄膜 | 第16-17页 |
| 1.4 铁电薄膜的制备方法 | 第17-22页 |
| 1.4.1 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第18-19页 |
| 1.4.2 溅射法(Sputtering) | 第19-20页 |
| 1.4.3 脉冲激光沉积法(Pulse laser deposition) | 第20-22页 |
| 1.5 分子基铁电的发展 | 第22-23页 |
| 1.6 本文的选题意义和研究内容 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第二章 理论研究 | 第26-31页 |
| 2.1 薄膜生长概述 | 第26-27页 |
| 2.2 薄膜生长过程 | 第27-28页 |
| 2.3 薄膜生长方式 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第三章 薄膜表征测量及设备 | 第31-40页 |
| 3.1 X射线衍射(X-Ray diffraction,XRD) | 第31-34页 |
| 3.2 扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM) | 第34-37页 |
| 3.3 激光拉曼光谱分析(Raman scattering) | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第四章 有机分子铁电薄膜制备和性能表征 | 第40-58页 |
| 4.1 二异丙胺溴 | 第40-50页 |
| 4.1.1 二异丙胺溴晶体 | 第40-44页 |
| 4.1.2 气相沉积法制备二异丙胺溴薄膜 | 第44-45页 |
| 4.1.3 二异丙胺溴薄膜表征 | 第45-50页 |
| 4.1.4 小结 | 第50页 |
| 4.2 4-吡啶甲胺高氯酸 | 第50-57页 |
| 4.2.1 4-吡啶甲胺高氯酸晶体 | 第50-53页 |
| 4.2.2 旋涂法制备4-吡啶甲胺高氯酸 | 第53-54页 |
| 4.2.3 4-吡啶甲胺高氯酸薄膜表征 | 第54-56页 |
| 4.2.4 小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第五章 总结 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
