| 摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-35页 |
| 1.1 SNSPD简介 | 第10-12页 |
| 1.2 SNSPD的工作原理 | 第12-14页 |
| 1.3 SNSPD的性能指标 | 第14-19页 |
| 1.3.1 探测效率 | 第15页 |
| 1.3.2 暗计数 | 第15-16页 |
| 1.3.3 时间抖动 | 第16-17页 |
| 1.3.4 最大计数率 | 第17-18页 |
| 1.3.5 其他 | 第18-19页 |
| 1.4 SNSPD的研究方向 | 第19-21页 |
| 1.4.1 提升器件性能 | 第19-20页 |
| 1.4.2 实现光子数分辨 | 第20-21页 |
| 1.4.3 研究物理机制 | 第21页 |
| 1.4.4 进行实际应用 | 第21页 |
| 1.5 SNSPD的读出现状 | 第21-32页 |
| 1.5.1 传统的SNSPD读出电路 | 第22页 |
| 1.5.2 改进的SNSPD读出电路 | 第22-24页 |
| 1.5.3 新型的SNSPD读出电路 | 第24-32页 |
| 1.6 研究目的和意义 | 第32-33页 |
| 1.7 本论文的主要工作 | 第33-35页 |
| 第二章 电路元件的温度特性研究 | 第35-51页 |
| 2.1 实验平台搭建 | 第35-37页 |
| 2.1.1 低温环境选择 | 第35-36页 |
| 2.1.2 测量杆设计 | 第36页 |
| 2.1.3 扫描程序编写 | 第36-37页 |
| 2.2 基本电路元件的温度特性测量 | 第37-43页 |
| 2.2.1 电阻 | 第37-39页 |
| 2.2.2 电容 | 第39-41页 |
| 2.2.3 电感 | 第41-43页 |
| 2.3 SiGe HBT的温度特性测量 | 第43-49页 |
| 2.3.1 测量系统 | 第43页 |
| 2.3.2 Tower Jazz工艺中SiGe HBT的温度特性 | 第43-46页 |
| 2.3.3 商用SiGe HBT的温度特性 | 第46-48页 |
| 2.3.4 结果对比与分析 | 第48-49页 |
| 2.4 比例电流源的温度特性测量 | 第49-50页 |
| 本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 单端结构50Ω输入阻抗低温电路 | 第51-68页 |
| 3.1 电路基本指标的确定 | 第51-52页 |
| 3.1.1 带宽 | 第51-52页 |
| 3.1.2 增益 | 第52页 |
| 3.1.3 噪声 | 第52页 |
| 3.1.4 功耗 | 第52页 |
| 3.2 电路设计 | 第52-54页 |
| 3.3 仿真结果 | 第54-56页 |
| 3.3.1 增益 | 第54-55页 |
| 3.3.2 输入和输出阻抗 | 第55页 |
| 3.3.3 噪声系数 | 第55-56页 |
| 3.4 测量结果 | 第56-63页 |
| 3.4.1 常温测量结果 | 第56-59页 |
| 3.4.2 低温测量结果 | 第59-63页 |
| 3.5 与SNSPD互连结果 | 第63-67页 |
| 本章小结 | 第67-68页 |
| 第四章 单端结构高输入阻抗低温电路 | 第68-92页 |
| 4.1 电路设计 | 第68-72页 |
| 4.2 电路性能调节 | 第72-76页 |
| 4.2.1 电源滤波 | 第72-74页 |
| 4.2.2 二次仿真 | 第74-76页 |
| 4.3 高输入阻抗射频放大器的表征 | 第76-83页 |
| 4.3.1 增益 | 第76-78页 |
| 4.3.2 输入阻抗 | 第78-82页 |
| 4.3.3 其他 | 第82-83页 |
| 4.4 仿真和测量结果 | 第83-89页 |
| 4.4.1 常温仿真与测量结果 | 第83-85页 |
| 4.4.2 低温测量结果 | 第85-88页 |
| 4.4.3 其他 | 第88-89页 |
| 4.5 与SNSPD互连结果 | 第89-91页 |
| 本章小结 | 第91-92页 |
| 第五章 差分结构高输入阻抗低温电路 | 第92-102页 |
| 5.1 电路设计 | 第92-95页 |
| 5.2 仿真和测量结果 | 第95-98页 |
| 5.2.1 常温仿真和测量结果 | 第95-97页 |
| 5.2.2 低温测量结果 | 第97-98页 |
| 5.3 与SNSPD互连结果 | 第98-101页 |
| 本章小结 | 第101-102页 |
| 第六章 总结与展望 | 第102-104页 |
| 6.1 总结 | 第102-103页 |
| 6.2 展望 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-111页 |
| 博士期间研究成果 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |