基于SiGe BiCMOS工艺的Ku波段收发前端芯片研究与设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 课题的研究背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 Ku波段多功能芯片的研究现状 | 第12-18页 |
| 1.3 主要工作与章节安排 | 第18-19页 |
| 第二章 多功能芯片的系统架构 | 第19-25页 |
| 2.1 收发前端的相移架构 | 第19-20页 |
| 2.2 收发前端的系统方案选择 | 第20-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 低噪声放大器及驱动放大器的设计 | 第25-37页 |
| 3.1 低噪声放大器的设计 | 第25-30页 |
| 3.2 驱动放大器的设计 | 第30-36页 |
| 3.2.1 发射通道放大器PAT1的设计 | 第30-32页 |
| 3.2.2 发射通道放大器PAT2的设计 | 第32-34页 |
| 3.2.3 接收通道放大器PAR的设计 | 第34页 |
| 3.2.4 共同通道放大器PAM的设计 | 第34-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 单刀双掷开关和单刀三掷开关的设计 | 第37-48页 |
| 4.1 微波数控开关的实现方式 | 第37-41页 |
| 4.1.1 RF MEMS开关 | 第37-38页 |
| 4.1.2 PIN开关二极管 | 第38-40页 |
| 4.1.3 场效应管FET | 第40-41页 |
| 4.2 单刀双掷开关和单刀三掷开关的设计 | 第41-43页 |
| 4.2.1 MOSFET数控开关的结构分析 | 第41-42页 |
| 4.2.2 MOSFET晶体管的模型分析 | 第42-43页 |
| 4.3 单刀双掷开关的设计 | 第43-45页 |
| 4.4 单刀三掷开关的设计 | 第45-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 多功能芯片中的高精度数控衰减器的设计 | 第48-69页 |
| 5.1 数控衰减器的基本结构 | 第48-51页 |
| 5.1.1 吸收式衰减器 | 第48-49页 |
| 5.1.2 反射式衰减器 | 第49-50页 |
| 5.1.3 数控衰减器 | 第50-51页 |
| 5.2 高精度全温六位数控衰减器的设计 | 第51-67页 |
| 5.2.1 衰减器的温度补偿网络 | 第51-56页 |
| 5.2.2 衰减器的相位补偿网络 | 第56-59页 |
| 5.2.3 小衰减量位的衰减网络的设计 | 第59-61页 |
| 5.2.4 中衰减量位的衰减网络的设计 | 第61-63页 |
| 5.2.5 大衰减量位的衰减网络的设计 | 第63-65页 |
| 5.2.6 衰减单元的工作指标总结 | 第65-66页 |
| 5.2.7 六位衰减器整体仿真 | 第66-67页 |
| 5.3 温补衰减器的设计 | 第67-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 多功能芯片整体版图的主要仿真结果 | 第69-81页 |
| 6.1 多功能芯片主要工作特性的仿真结果 | 第70-73页 |
| 6.1.1 多功能芯片各基本态的仿真特性曲线 | 第70页 |
| 6.1.2 多功能芯片的通道增益特性(各基本态) | 第70-71页 |
| 6.1.3 多功能芯片的通道噪声系数 | 第71-72页 |
| 6.1.4 多功能芯片的通道功率容量 | 第72页 |
| 6.1.5 多功能芯片的收发转换时间 | 第72页 |
| 6.1.6 多功能芯片的工作电流 | 第72-73页 |
| 6.2 多功能芯片的移相特性 | 第73-77页 |
| 6.2.1 各基本态的移相精度 | 第73-75页 |
| 6.2.2 移相均方根误差及其移相状态 | 第75-76页 |
| 6.2.3 移相附加衰减 | 第76-77页 |
| 6.3 多功能芯片的衰减特性 | 第77-79页 |
| 6.3.1 各基本态的衰减精度 | 第77-78页 |
| 6.3.2 衰减均方根误差及其衰减状态 | 第78-79页 |
| 6.3.3 衰减附加相移 | 第79页 |
| 6.4 多功能芯片的版图及工作特性汇总 | 第79-80页 |
| 6.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 第七章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 7.1 总结 | 第81-82页 |
| 7.2 展望 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第87-88页 |
