| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 电子密度泛函理论简介 | 第13-27页 |
| ·量子化学基础理论 | 第13-16页 |
| ·密度泛函理论的基础 | 第16-18页 |
| ·Thomas-Fermi-Dirac近似 | 第16页 |
| ·Hohenberg-Kohn理论：多体理论 | 第16-17页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第17-18页 |
| ·密度泛函理论发展 | 第18-21页 |
| ·局域自旋密度近似(LSDA) | 第19页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第19页 |
| ·杂化密度泛函 | 第19-21页 |
| ·密度泛函理论扩展 | 第21页 |
| ·密度泛函理论的应用 | 第21页 |
| ·一些常用的计算软件包 | 第21-24页 |
| ·VASP | 第21-22页 |
| ·Materials Studio | 第22页 |
| ·CASTEP | 第22-23页 |
| ·SIESTA | 第23页 |
| ·Gaussian | 第23-24页 |
| ·WIEN2k | 第24页 |
| ·Quantum-ESPRESSO | 第24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 几类二维体系的实验研究进展 | 第27-49页 |
| ·引言 | 第27-30页 |
| ·含碳原子层：石墨烯 | 第30-34页 |
| ·石墨烯的合成、表征、特性和石墨烯纳米材料 | 第31-32页 |
| ·石墨烯的替代掺杂 | 第32-33页 |
| ·石墨烯和杂化石墨烯用于能源储备 | 第33-34页 |
| ·含硼、氮的原子层：h-BN | 第34-39页 |
| ·h-BN的合成与特性 | 第35-36页 |
| ·h-BN的特性 | 第36-38页 |
| ·剥离的h-BN调制热输运 | 第38-39页 |
| ·含有B,C,N的原子薄片：h-BCN | 第39-43页 |
| ·h-BCN原子薄膜的合成和特性 | 第39-41页 |
| ·直接在石墨烯上沉积h-BN | 第41-42页 |
| ·石墨烯在h-BN上的直接生成 | 第42-43页 |
| ·本博士论文的研究动机 | 第43页 |
| 参考文献 | 第43-49页 |
| 第三章 内嵌线缺陷的石墨烯条带的电子结构、磁性和力学性质 | 第49-67页 |
| ·研究背景 | 第49-50页 |
| ·计算方法和模型 | 第50-52页 |
| ·计算结果和讨论 | 第52-63页 |
| ·内嵌线缺陷的ZGNR的电子结构 | 第52-59页 |
| ·内嵌4-8线缺陷的Armchair型石墨烯条带的电子结构 | 第59-62页 |
| ·内嵌线缺陷的GNRs力学性质 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 第四章 C4N3纳米管的电子结构、磁性和半金属性 | 第67-83页 |
| ·研究背景 | 第67-68页 |
| ·计算细节 | 第68-69页 |
| ·计算结果 | 第69-78页 |
| ·Zigzag SWCNNTs | 第69-73页 |
| ·Armchair型的SWCNNTs | 第73-74页 |
| ·手性的SWCNNTs | 第74-75页 |
| ·SWCNNTs稳定性分析 | 第75-76页 |
| ·应力对于SWCNNTs电子结构和磁性的调控 | 第76-78页 |
| ·结果与讨论 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 第五章 氮化硼纳米管的石墨烯片掺杂研究 | 第83-103页 |
| ·背景介绍 | 第83-84页 |
| ·计算细节与模型 | 第84-85页 |
| ·计算结果与讨论 | 第85-99页 |
| ·构型信息 | 第85-86页 |
| ·电子结构 | 第86-90页 |
| ·磁学性质 | 第90-93页 |
| ·载流子掺杂效应 | 第93-97页 |
| ·C掺杂的BNNTs稳定性分析 | 第97-98页 |
| ·内嵌石墨烯片的BNNTs合成 | 第98-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-103页 |
| 第六章 非对称边界的内嵌线缺陷石墨烯条带的电子结构和磁性 | 第103-119页 |
| ·研究背景 | 第103-104页 |
| ·计算细节与模型 | 第104-117页 |
| ·2H-ZGNR-H磁性和电子结构 | 第104-109页 |
| ·H-M-LD-N-2H的电子结构和磁学性质 | 第109-114页 |
| ·左右非对称的H-N-LD-N-2H电子结构 | 第114-115页 |
| ·H-N-LD-N-2H 2条线缺陷嵌入到条带中的电子结构 | 第115-116页 |
| ·H-N-LD-N-2H动力学稳定性分析 | 第116-117页 |
| ·本章小结 | 第117页 |
| 参考文献 | 第117-119页 |
| 第七章 内嵌三角形石墨烯片的氮化硼纳米条带对外加横向电场的响应 | 第119-135页 |
| ·研究背景 | 第119-120页 |
| ·计算方法和模型 | 第120-121页 |
| ·计算结果与讨论 | 第121-132页 |
| ·内嵌三角形石墨烯片的ZCBNNR的电子结构 | 第121-124页 |
| ·内嵌三角形石墨烯片的ACBNNR的电子结构 | 第124-126页 |
| ·外加横向电场调节内嵌三角形石墨烯片的ZCBNNR和ACBNNR的电子结构 | 第126-131页 |
| ·内嵌T1和T2型C畴时,体系的磁性 | 第131-132页 |
| ·本章小结 | 第132页 |
| 参考文献 | 第132-135页 |
| 致谢 | 第135-137页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第137-138页 |
