熔盐电解法制备多晶硅的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| ·选题的背景及意义 | 第11-12页 |
| ·多晶硅制备方法的研究进展 | 第12-15页 |
| ·冶金法 2 | 第12页 |
| ·由高纯原料制备多晶硅 | 第12-13页 |
| ·改良西门子法 | 第13页 |
| ·以 SiCl_4为原料金属还原制备硅 | 第13页 |
| ·无氯技术 | 第13-14页 |
| ·固态电迁移法 | 第14页 |
| ·碘化学气相净化法 | 第14页 |
| ·熔盐电解法 | 第14-15页 |
| ·熔盐电解法制备多晶硅的研究进展 | 第15-20页 |
| ·氟硅酸盐制备多晶硅 | 第15-16页 |
| ·熔盐直接电解二氧化硅制备多晶硅 | 第16-17页 |
| ·熔盐电解精炼冶金硅 | 第17-18页 |
| ·阴极二氧化硅脱氧还原制备多晶硅 | 第18-20页 |
| ·本课题研究的目的和工作内容 | 第20-21页 |
| 第2章 实验方法 | 第21-26页 |
| ·实验原料及设备 | 第21-22页 |
| ·实验方法与过程 | 第22-24页 |
| ·实验装置 | 第22页 |
| ·熔盐的预处理 | 第22-23页 |
| ·实验过程 | 第23-24页 |
| ·电解产物的后续处理 | 第24页 |
| ·材料的表征 | 第24-26页 |
| ·X 射线衍射分析(XRD) | 第24页 |
| ·场发射扫描电镜分析(FE-SEM) | 第24-25页 |
| ·数码相机拍照分析 | 第25页 |
| ·电解电流监测 | 第25-26页 |
| 第3章 理论计算及电解槽设计 | 第26-38页 |
| ·理论计算 | 第26-29页 |
| ·热力学公式计算 SiO2的分解电压 | 第26-27页 |
| ·利用电极电势计算分解电压 | 第27-29页 |
| ·电极的选择和制备 | 第29-32页 |
| ·阳极的选择与制备 | 第29-30页 |
| ·阴极的制备 | 第30-32页 |
| ·电解槽的设计 | 第32-34页 |
| ·电解槽体的设计 | 第32-33页 |
| ·加热系统的设计 | 第33-34页 |
| ·保护气体的设计 | 第34页 |
| ·密封及冷却水的设计 | 第34页 |
| ·熔盐体系的选择 | 第34-36页 |
| ·杂质的影响分析 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 电解工艺条件的研究 | 第38-50页 |
| ·不同电解电压的结果分析 | 第38-42页 |
| ·2.6 V 电解电压的结果分析 | 第38-40页 |
| ·2.8 V 电解电压的结果分析 | 第40-42页 |
| ·试样厚度与电流的关系 | 第42-43页 |
| ·烧结温度对电流的影响 | 第43-44页 |
| ·电解温度对电流效率的影响 | 第44-45页 |
| ·电解后的熔盐表面物质的分析 | 第45-46页 |
| ·混合熔盐电解 | 第46-47页 |
| ·电解二氧化硅反应生成晶体硅机理的研究 | 第47-49页 |
| ·反应机理分析 | 第47-48页 |
| ·晶体硅的生成 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 作者简介 | 第57页 |
