| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-29页 |
| ·集成电路的发展 | 第10-12页 |
| ·硅烯的性能和制备 | 第12-23页 |
| ·石墨烯的性质 | 第12-13页 |
| ·硅烯的结构 | 第13-14页 |
| ·硅烯的电学性质 | 第14-16页 |
| ·硅烯的制备 | 第16-22页 |
| ·硅烯的表面功能化 | 第22-23页 |
| ·内连线的发展 | 第23-27页 |
| ·内连线的发展和问题 | 第24-27页 |
| ·本文研究内容 | 第27-29页 |
| 第2章 计算机模拟方法 | 第29-35页 |
| ·密度泛函理论 | 第29-31页 |
| ·密度泛函理论的色散修正 | 第31-33页 |
| ·Dmol3 和 CASTEP 模块简介 | 第33-35页 |
| 第3章 密度泛函理论计算表面卤族功能化的硅烯 | 第35-44页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·模拟方法 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第4章 基底对硅烯能隙的作用 | 第44-63页 |
| ·基底导致硅烯能隙打开 | 第44-53页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·模拟方法 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| ·硅烯/硫化钼异质结构的结构和电学性能计算 | 第53-63页 |
| ·前言 | 第53-54页 |
| ·模拟方法 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第5章 密度泛函理论计算铝和铜纳米线的电子输运性质 | 第63-72页 |
| ·前言 | 第63页 |
| ·计算模型和模拟方法 | 第63-65页 |
| ·结果与讨论 | 第65-71页 |
| ·结论 | 第71-72页 |
| 第6章 主要结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-94页 |
| 攻博期间发表的学术论文 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95页 |