| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-33页 |
| ·半导体光电探测器 | 第11-21页 |
| ·日盲紫外光电探测器 | 第21-23页 |
| ·MgZnO 合金薄膜特点及其紫外光电探测器研究进展 | 第23-32页 |
| ·论文的选题依据和研究内容 | 第32-33页 |
| 第2章 半导体薄膜与紫外探测器的制备设备和测试系统 | 第33-49页 |
| ·半导体薄膜制备技术 | 第33-39页 |
| ·紫外探测器器件制备工艺 | 第39-41页 |
| ·薄膜性质表征和器件性能参数测试手段 | 第41-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第3章 MgZnO:Al 薄膜制备及垂直结构紫外探测器制备研究 | 第49-65页 |
| ·薄膜制备及材料性能表征 | 第50-54页 |
| ·肖特基型垂直结构 MgZnO 紫外探测器的制备和特性 | 第54-62页 |
| ·本章小结 | 第62-65页 |
| 第4章 Ga 掺入对 MgZnO 薄膜性质影响及紫外探测器制备 | 第65-83页 |
| ·薄膜制备与 Ga 掺入浓度对 MgZnO 薄膜性质影响的研究 | 第66-72页 |
| ·MSM 结构 MgZnO:Ga 紫外探测器的制备和特性 | 第72-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第5章 Ga_2O_3/ZnO 异质结的制备与研究 | 第83-93页 |
| ·Ga_2O_3薄膜及 Ga_2O_3/ZnO 异质结制备表征 | 第84-87页 |
| ·Ga_2O_3/ZnO 异质结结构紫外探测器的制备与表征 | 第87-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第6章 结论与展望 | 第93-95页 |
| ·全文结论 | 第93-94页 |
| ·研究展望 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-105页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第105-106页 |
| 指导教师及作者简介 | 第106-107页 |
| 致谢 | 第107页 |
