| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·电化学刻蚀InP的发展现状 | 第8-13页 |
| ·论文研究的目的和内容 | 第13-15页 |
| 第二章 电化学刻蚀方法制备多孔InP | 第15-33页 |
| ·电化学刻蚀InP的工艺流程 | 第15-16页 |
| ·电流对多孔InP形貌的影响 | 第16-25页 |
| ·温度对电化学刻蚀InP的影响 | 第25-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 激光干涉模拟与InP表面四光束激光干涉直写光刻 | 第33-38页 |
| ·激光干涉光刻技术 | 第33页 |
| ·四光束激光干涉原理与模拟 | 第33-35页 |
| ·InP表面四光束激光干涉直写光刻 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 电化学刻蚀激光干涉诱导表面微结构后的InP | 第38-43页 |
| ·表面微结构对电化学刻蚀InP的V-t曲线的影响 | 第38-40页 |
| ·表面微结构对多孔InP表面形貌的影响 | 第40-41页 |
| ·表面微结构对多孔InP截面形貌的影响 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |