| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-26页 |
| ·概述 | 第10-11页 |
| ·Cu_2O 半导体 | 第11-14页 |
| ·Cu_2O 晶体结构及表面性质 | 第11-13页 |
| ·Cu_2O 表面研究现状 | 第13-14页 |
| ·第四主族 C、Si、Ge 半导体 | 第14-24页 |
| ·X(100) (X= C、Si、Ge)的表面结构 | 第14-16页 |
| ·化学修饰 X(100) (X = C、Si、Ge)面的研究现状 | 第16-24页 |
| ·本论文研究目的和主要内容 | 第24-26页 |
| 第二章 理论基础 | 第26-41页 |
| ·密度泛函理论 | 第26-32页 |
| ·Thomas-Fermi 及相关模型 | 第26-27页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第27-30页 |
| ·Kohn-Sham 方法 | 第30-31页 |
| ·交换相关泛函 | 第31-32页 |
| ·Material Studio 软件及其 DMol3模块简介 | 第32-35页 |
| ·自洽计算 | 第33-34页 |
| ·数值基组 | 第34-35页 |
| ·结构优化 | 第35页 |
| ·过渡态理论 | 第35-38页 |
| ·化学反应中驻点的数学模型 | 第36-37页 |
| ·DMol3软件中搜索过渡态的计算方法 | 第37-38页 |
| ·固相体系计算中的簇模型和平板模型 | 第38-41页 |
| 第三章 CO 和 NO 在 Cu_2O(111)表面共吸附的密度泛函理论研究 | 第41-55页 |
| ·概述 | 第41-42页 |
| ·计算模型和方法 | 第42-44页 |
| ·结果和讨论 | 第44-54页 |
| ·CO 和 NO 在 Cu_2O(111)面的共吸附研究 | 第44-50页 |
| ·CNO、NCO 和 CO_2物种的形成 | 第50-53页 |
| ·与金属表面共吸附比较 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 CO 在 Cu_2O(111)表面氧化反应机理的密度泛函理论研究 | 第55-66页 |
| ·概述 | 第55-56页 |
| ·计算模型和方法 | 第56-57页 |
| ·结果和讨论 | 第57-64页 |
| ·CO/O_2在 Cu_2O(111)表面的单分子吸附 | 第57-58页 |
| ·CO+O_2在 Cu_2O(111)表面共吸附所形成的稳定中间体 | 第58-60页 |
| ·CO 在 Cu_2O(111)表面的氧化反应路径 | 第60-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 卡宾和氮宾分子(CH_2、SiH_2、GeH_2和 NH)化学修饰 X(100)-21 (X = C、Si、Ge)表面的覆盖度效应的密度泛函理论研究 | 第66-92页 |
| ·概述 | 第66-68页 |
| ·计算模型和方法 | 第68-69页 |
| ·结果与讨论 | 第69-91页 |
| ·覆盖度对结构和能量的影响 | 第69-83页 |
| ·覆盖度对电子性质的影响 | 第83-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 第六章 过渡金属氧化物(OsO_4和 RuO_4)化学修饰 X(100)-21 (X = C、Si、Ge)表面的覆盖度效应的密度泛函理论研究 | 第92-110页 |
| ·概述 | 第92-93页 |
| ·计算模型和方法 | 第93-94页 |
| ·结果与讨论 | 第94-108页 |
| ·覆盖度对吸附构型及能量的影响 | 第94-101页 |
| ·覆盖度对电子性质的影响 | 第101-108页 |
| ·与卡宾和氮宾修饰 X(100)表面情况比较 | 第108页 |
| ·与本课题组前期的簇模型研究结果比较 | 第108页 |
| ·本章小结 | 第108-110页 |
| 结论 | 第110-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-135页 |
| 个人简历 | 第135页 |
| 攻读博士期间已发表的论文情况 | 第135-136页 |
