低气压脉冲阴极弧薄膜沉积的相关研究
摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-11页 |
引言 | 第11-12页 |
第一章 低气压脉冲弧光放电及薄膜沉积介绍 | 第12-23页 |
·低气压弧光放电的原理 | 第12-16页 |
·气体放电的分类 | 第12-14页 |
·弧光放电 | 第14-16页 |
·脉冲弧薄膜沉积的概述 | 第16-22页 |
·电弧离子镀 | 第16-18页 |
·脉冲电弧离子镀 | 第18-20页 |
·宏观颗粒的产生和去除 | 第20-22页 |
·小结 | 第22-23页 |
第二章 实验装置 | 第23-35页 |
·大电流脉冲电源的设计 | 第23-30页 |
·电源电路图 | 第23页 |
·直流电源 | 第23-24页 |
·脉冲成型网络(PFN) | 第24-28页 |
·SCR触发装置的设计 | 第28-29页 |
·高压点火触发放电装置 | 第29-30页 |
·弧光放电电流电压的采集系统 | 第30-32页 |
·真空镀膜系统 | 第32-34页 |
·小结 | 第34-35页 |
第三章 低气压弧光放电的伏安特性的研究 | 第35-44页 |
·低气压脉冲弧光放电的基本过程 | 第35-37页 |
·低气压弧光放电伏安特性的研究 | 第37-40页 |
·弧电流随时间的变化 | 第37页 |
·低气压弧光放电的伏安特性 | 第37-38页 |
·不同气压下弧电阻对时间的变化 | 第38-40页 |
·等离子体弧柱收缩现象的分析 | 第40-42页 |
·电弧熄灭过程中的不稳定扰动 | 第42-43页 |
·小结 | 第43-44页 |
第四章 低气压脉冲弧薄膜沉积的研究 | 第44-61页 |
·硅片上沉积薄膜的研究 | 第44-52页 |
·脉冲放电次数对膜厚的影响 | 第44-46页 |
·PFN充电电压对薄膜性能的影响 | 第46-48页 |
·外加磁场对于镀膜效果的影响 | 第48-51页 |
·制备低辐射薄膜实验条件的确定 | 第51-52页 |
·柔性基底薄膜沉积的研究 | 第52-59页 |
·低辐射薄膜简介 | 第52-53页 |
·低气压脉冲弧镀制备低辐射薄膜 | 第53-54页 |
·低辐射薄膜光学性能的研究 | 第54-59页 |
·小结 | 第59-61页 |
第五章 总结 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-65页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第65-66页 |
致谢 | 第66页 |