| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| ·脉冲技术及脉冲形成线用储能介质简介 | 第11-13页 |
| ·电介质储能的计算方法及影响因素 | 第13-15页 |
| ·介电常数与介电极化 | 第13-14页 |
| ·介电损耗 | 第14-15页 |
| ·击穿强度E_b | 第15页 |
| ·储能介电陶瓷的研究动态及体系的选择 | 第15-18页 |
| ·二氧化钛系陶瓷 | 第15-16页 |
| ·钛酸钡系陶瓷 | 第16-17页 |
| ·钛酸锶系陶瓷 | 第17页 |
| ·陶瓷体系的选择 | 第17-18页 |
| ·玻璃的基本介绍 | 第18-22页 |
| ·玻璃的介电常数 | 第18-19页 |
| ·玻璃的介电损耗 | 第19页 |
| ·玻璃的介电强度 | 第19-20页 |
| ·玻璃添加剂的选择 | 第20-22页 |
| ·玻璃与陶瓷的叠层模型 | 第22-24页 |
| ·关于叠层模型的理论背景 | 第22-24页 |
| ·本论文研究的目的和意义 | 第24-25页 |
| 第2章 实验工艺及研究方法 | 第25-33页 |
| ·实验原料及设备 | 第25-26页 |
| ·实验过程 | 第26-29页 |
| ·ZBS系玻璃添加ST/BST陶瓷粉体的制备 | 第26-27页 |
| ·BST陶瓷和ZBS玻璃薄膜的制备 | 第27-29页 |
| ·测试方法与原理 | 第29-33页 |
| ·密度 | 第29页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第29页 |
| ·扫描电镜分析(SEM)和场发射扫描电子显微镜分析(FESEM) | 第29页 |
| ·原子力显微镜分析(AFM) | 第29-30页 |
| ·介电性能 | 第30页 |
| ·耐压性能 | 第30-33页 |
| 第3章 玻璃添加SrTiO_3与Ba_(0.3)Sr_(0.7)TiO_3陶瓷的介电性能 | 第33-42页 |
| ·玻璃的制备 | 第33-34页 |
| ·ZBS2玻璃添加ST和BST陶瓷的烧结性能和显微结构的研究 | 第34-37页 |
| ·ZBS2玻璃添加ST和BST陶瓷的介电性能的分析 | 第37-41页 |
| ·ZBS2玻璃添加ST和BST陶瓷的击穿性能 | 第37-38页 |
| ·ZBS2玻璃添加ST和BST陶瓷的介电性能 | 第38-40页 |
| ·ZBS2玻璃添加ST和BST陶瓷样品的储能密度 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第4章 玻璃添加Ba_(0.3)Sr_(0.7)TiO_3陶瓷的介电性能研究 | 第42-53页 |
| ·玻璃的性能分析 | 第42-44页 |
| ·玻璃添加BST陶瓷XRD分析 | 第44-45页 |
| ·玻璃添加BST陶瓷致密度与微观形貌分析 | 第45-47页 |
| ·玻璃添加BST陶瓷的介电性能分析 | 第47-52页 |
| ·玻璃添加陶瓷的击穿性能 | 第47-48页 |
| ·玻璃添加陶瓷的介电性能 | 第48-51页 |
| ·玻璃添加BST陶瓷样品的储能密度 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第5章 玻璃与陶瓷的叠层结构设计及性能 | 第53-66页 |
| ·旋涂法制备薄膜 | 第54-55页 |
| ·BST陶瓷薄膜的制备 | 第54-55页 |
| ·ZBS玻璃薄膜的制备 | 第55页 |
| ·BST陶瓷与ZBS玻璃叠层薄膜的制备 | 第55页 |
| ·基片的选择 | 第55-56页 |
| ·溶胶配制中成膜促进剂的影响 | 第56-57页 |
| ·干燥分解及退火温度 | 第57-62页 |
| ·凝胶的差热及红外分析 | 第57-58页 |
| ·升温速率对薄膜显微结构的影响 | 第58-59页 |
| ·退火温度对薄膜相结构的影响 | 第59-61页 |
| ·退火温度对薄膜显微结构的影响 | 第61-62页 |
| ·薄膜断面扫描 | 第62-64页 |
| ·薄膜的电学性能的分析 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第6章 结论与展望 | 第66-68页 |
| ·结论 | 第66页 |
| ·展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 附录:硕士期间发表的论文 | 第73页 |
