中文摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-32页 |
·功能配合物概述 | 第11页 |
·功能配体的设计及其配合物在光电领域中的应用 | 第11-26页 |
·功能配体的设计及其配合物在光学材料中的应用 | 第11-19页 |
·功能配体的设计及其配合物在电性能中的应用 | 第19-26页 |
·金属配合物作为单一源在纳米材料制备的应用 | 第26-30页 |
·采用单一源前驱体合成纳米硫化物 | 第26-29页 |
·有机配合物前驱体法制备纳米氧化物 | 第29-30页 |
·论文选题的意义和研究的内容 | 第30-32页 |
·本论文研究的目的和意义 | 第30页 |
·本论文的研究内容 | 第30-32页 |
第二章 含取代咪唑菲啰啉功能配体的合成、表征及光电性能研究 | 第32-58页 |
摘要 | 第32页 |
·引言 | 第32-33页 |
·实验部分 | 第33-34页 |
·实验原料和试剂 | 第33页 |
·分析与测试 | 第33-34页 |
·化合物的设计与合成 | 第34-40页 |
·1,10-菲啰啉-5,6-二酮的合成 | 第35页 |
·化合物1的合成 | 第35-36页 |
·化合物2的合成 | 第36-37页 |
·化合物3的合成 | 第37-39页 |
·化合物4的合成 | 第39-40页 |
·线性光学性质 | 第40-45页 |
·单光子吸收和发射光谱 | 第40-41页 |
·荧光量子产率测试和荧光寿命 | 第41-42页 |
·质子化和去质子化 | 第42-45页 |
·分子1-4双光子荧光研究 | 第45-48页 |
·测试方法 | 第45-46页 |
·化合物1,2,3和4的双光子荧光 | 第46-48页 |
·循环伏安 | 第48-49页 |
·理论计算 | 第49-50页 |
·化合物1和3的电存储性能研究 | 第50-54页 |
·电存储器件ITO/1/Al和ITO/3/Al的制备 | 第50-52页 |
·电存储器件ITO/1/Al和ITO/3/Al的电存储性能 | 第52-54页 |
·分子3成配合物胶研究 | 第54-57页 |
·胶的基本表征 | 第55-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
第三章 单一源前驱体法制备硫化铋纳米片及其存储性能研究 | 第58-65页 |
摘要 | 第58页 |
·引言 | 第58-59页 |
·实验部分 | 第59-60页 |
·实验原料与试剂 | 第59页 |
·分析与测试 | 第59-60页 |
·前驱体与纳米硫化铋的合成 | 第60页 |
·前驱体Bi(DTCA)_3的合成 | 第60页 |
·Bi(DTCA)_3单晶的合成 | 第60页 |
·Bi_2S_3纳米带的制备 | 第60页 |
·Bi_2S_3纳米片的结构与形貌表征 | 第60-61页 |
·Bi_2S_3存储性能研究 | 第61-63页 |
·存储机理研究 | 第63-64页 |
·本章小结 | 第64-65页 |
第四章 有机配合物制备氧化镍的表征及研究 | 第65-72页 |
摘要 | 第65页 |
·引言 | 第65-66页 |
·实验部分 | 第66-67页 |
·实验原料与试剂 | 第66页 |
·分析与测试 | 第66页 |
·镍配合物胶的合成 | 第66-67页 |
·氧化镍膜的制备 | 第67页 |
·结果与讨论 | 第67-71页 |
·氧化镍的最佳煅烧条件研究 | 第67-69页 |
·氧化镍的相貌结构表征 | 第69-70页 |
·氧化镍膜的制备与表征 | 第70-71页 |
·本章小结 | 第71-72页 |
第五章 结论与展望 | 第72-74页 |
·结论 | 第72-73页 |
·展望 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-80页 |
攻读硕士期间论文发表、录用及整理情况 | 第80-81页 |
致谢 | 第81页 |