| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 1 引言 | 第12-16页 |
| ·研究背景和意义 | 第12-14页 |
| ·学术构思 | 第14-15页 |
| ·论文的主要工作及安排 | 第15-16页 |
| 2 激光诱导击穿光谱应用现状及探测增强研究进展 | 第16-24页 |
| ·LIBS 国内外应用现状 | 第16-18页 |
| ·LIBS 探测增强研究现状 | 第18-24页 |
| ·样品富集辅助增强 | 第18-19页 |
| ·外场辅助增强 | 第19-21页 |
| ·光谱探测器件的更新换代 | 第21-24页 |
| 3 激光诱导击穿光谱探测的导向沉积增强方法 | 第24-42页 |
| ·导向沉积增强方法原理 | 第24-29页 |
| ·工作原理 | 第24-26页 |
| ·实验装置 | 第26-29页 |
| ·导向沉积增强方法理论模型 | 第29-33页 |
| ·作用过程 | 第29-31页 |
| ·理论模型 | 第31-33页 |
| ·基于导向沉积增强方法的水中铜离子 LIBS 探测 | 第33-41页 |
| ·水中铜离子 LIBS 探测灵敏度的提高 | 第33-36页 |
| ·导向沉积增强方法分过程对 LIBS 探测的增强 | 第36-38页 |
| ·不同铜离子浓度下的 LIBS 探测结果 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 富集电压对导向沉积 LIBS 探测增强效果的影响 | 第42-62页 |
| ·不同富集电压条件下铜离子 LIBS 信号探测 | 第42-44页 |
| ·实验装置及理论分析 | 第44-48页 |
| ·实验装置 | 第44-45页 |
| ·理论分析 | 第45-48页 |
| ·富集电压对导向沉积 LIBS 增强的影响 | 第48-58页 |
| ·富集电压与最低可探测浓度的关系 | 第49-54页 |
| ·导向沉积 LIBS 定量探测的可行性探讨 | 第54-58页 |
| ·影响导向沉积增强 LIBS 探测的其他因素讨论 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 5 基于 fs-ns 双脉冲技术的微区 LIBS 探测增强 | 第62-86页 |
| ·微区 LIBS 分析技术 | 第62-63页 |
| ·fs-ns 双脉冲增强 Micro-LIBS 探测 | 第63-70页 |
| ·实验装置 | 第63-66页 |
| ·时序控制 | 第66-70页 |
| ·单/双脉冲下微区 LIBS 探测单晶硅的实验研究 | 第70-76页 |
| ·硅的 fs 单脉冲 LIBS 探测 | 第70-73页 |
| ·fs-ns 双脉冲作用下硅的 LIBS 信号演化规律 | 第73-76页 |
| ·fs-ns 双脉冲技术对微区 LIBS 探测灵敏度的提高 | 第76-81页 |
| ·fs-ns 双脉冲增强微区 LIBS 探测的机理初步研究 | 第81-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 6 总结与展望 | 第86-92页 |
| ·论文工作总结 | 第86-89页 |
| ·存在的问题与下一步工作设想 | 第89-92页 |
| ·存在的问题及改进措施 | 第89页 |
| ·海洋探测应用展望 | 第89-92页 |
| 参考文献 | 第92-102页 |
| 致谢 | 第102-104页 |
| 个人简历 | 第104-106页 |
| 博士期间发表的论文 | 第106页 |
| 投稿论文 | 第106-108页 |
| 获奖情况 | 第108-109页 |
