首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--基本电子电路论文--振荡技术、振荡器论文--振荡器论文

集成SOI CMOS环形压控振荡器的研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-7页
目录第7-9页
第一章 绪论第9-15页
   ·研究目的及意义第9-10页
   ·振荡器的发展及国内外研究状况第10-14页
     ·振荡器的发展概述第10-13页
     ·国内外研究状况第13-14页
   ·论文的主要工作和内容安排第14-15页
第二章 压控振荡器的工作原理第15-24页
   ·振荡器的起振及稳定第15-16页
   ·描述函数第16-18页
   ·反馈型LC振荡器第18-19页
   ·负阻LC振荡器第19-20页
   ·环形振荡器技术第20-22页
   ·压控振荡器的技术指标第22页
 本章小结第22-24页
第三章 压控振荡器的相位噪声第24-30页
   ·电路中的噪声第24-26页
     ·热噪声第24-25页
     ·闪烁噪声第25-26页
     ·散粒噪声第26页
   ·相位噪声的模型第26-29页
     ·相位噪声的概念第26-27页
     ·相位噪声的分析模型第27-29页
   ·频率牵引效应第29页
 本章小结第29-30页
第四章 环形压控振荡器的结构分析及电路实现第30-51页
   ·环形压控振荡器的频率调谐第30-33页
   ·单端结构第33-37页
     ·反相器型环形压控振荡器第33-35页
     ·线性区三极管作负载的环形压控振荡器第35-37页
   ·差分结构环形压控振荡器的实现及结果分析第37-49页
     ·传统差分结构环形压控振荡器第37-43页
     ·差分结构环形压控振荡器的电路实现第43-47页
     ·优化设计及仿真结果分析第47-49页
 本章小结第49-51页
第五章 版图设计及后仿真第51-56页
   ·体娃CMOS工艺版图的设计规则第51-52页
   ·体娃CMOS环形压控振荡器的版图设计及其后仿真第52-54页
   ·SOI CMOS工艺与体硅CMOS工艺的差别第54页
   ·基于SOI CMOS工艺环形压控振荡器的版图设计第54-55页
 本章小结第55-56页
第六章 总结与展望第56-58页
致谢第58-59页
参考文献第59-62页
附录第62页

论文共62页,点击 下载论文
上一篇:基于CAN总线的晶闸管投切滤波器控制系统的设计
下一篇:射频功率放大器及LC压控振荡器的研究