摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-14页 |
第1章 绪论 | 第14-35页 |
·课题背景及意义 | 第14-16页 |
·材料领域中的计算机模拟 | 第16-19页 |
·国内外计算机模拟发展现状 | 第17-19页 |
·原子尺度的计算机模拟 | 第19页 |
·PVD薄膜生长研究现状 | 第19-31页 |
·薄膜生长的三种模式 | 第19-21页 |
·Ising模型 | 第21页 |
·结构区模型 | 第21-23页 |
·HBC模型 | 第23-25页 |
·蒙特卡罗方法 | 第25-29页 |
·分子动力学方法 | 第29页 |
·元胞自动机方法 | 第29-30页 |
·MC、MD与CA比较 | 第30-31页 |
·电子束物理气相沉积 | 第31-33页 |
·EB-PVD合金薄板沉积模拟的研究现状 | 第33页 |
·本文主要研究内容 | 第33-35页 |
第2章 EB-PVD薄板沉积过程分析及动态蒙特卡罗模型 | 第35-63页 |
·引言 | 第35-36页 |
·薄膜沉积过程的理论分析 | 第36-42页 |
·表面吸附 | 第36-38页 |
·成核过程 | 第38-39页 |
·薄膜生长 | 第39-42页 |
·动态蒙特卡罗方法 | 第42-43页 |
·原子间相互作用势 | 第43-56页 |
·FCC金属嵌入原子法 | 第44-49页 |
·BCC金属嵌入原子法 | 第49-55页 |
·EAM合金模型 | 第55-56页 |
·分子稳态计算及激活能计算结果 | 第56-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
第3章 动态蒙特卡罗模拟及其算法优化 | 第63-75页 |
·引言 | 第63页 |
·弛豫模型 | 第63-66页 |
·动态蒙特卡罗算法的关键步骤 | 第66-68页 |
·KMC执行算法研究 | 第68-74页 |
·线性查找 | 第68-69页 |
·满二元树搜索 | 第69-70页 |
·红黑树搜索 | 第70-71页 |
·算法效率分析 | 第71-74页 |
·本章小结 | 第74-75页 |
第4章 动态蒙特卡罗模拟EB-PVD薄膜沉积 | 第75-115页 |
·引言 | 第75页 |
·KMC模拟参数 | 第75-79页 |
·基板形貌 | 第75页 |
·基板温度 | 第75-76页 |
·入射角度 | 第76-78页 |
·沉积速率 | 第78页 |
·其它参数 | 第78-79页 |
·KMC模拟Ni薄膜沉积的结果 | 第79-93页 |
·基板温度对Ni薄膜微观结构的影响 | 第79-83页 |
·沉积速率对Ni薄膜微观结构的影响 | 第83-88页 |
·入射角度对Ni薄膜微观结构的影响 | 第88-93页 |
·KMC模拟Ni-Cr薄膜沉积结果 | 第93-105页 |
·基板温度对Ni-Cr薄膜微观结构的影响 | 第93-97页 |
·沉积速率对Ni-Cr薄膜微观结构的影响 | 第97-100页 |
·入射角度对Ni-Cr薄膜微观结构的影响 | 第100-105页 |
·薄膜的分维特征 | 第105-112页 |
·本章小结 | 第112-115页 |
第5章 元胞自动机模拟EB-PVD薄板沉积 | 第115-147页 |
·引言 | 第115页 |
·恒温时间对Ni-Cr薄膜微观结构的影响 | 第115-130页 |
·入射角度 | 第116-117页 |
·沉积速率 | 第117-121页 |
·基板温度 | 第121-122页 |
·元胞规模 | 第122-123页 |
·KMC模拟恒温时间对薄膜微观结构的影响 | 第123-130页 |
·元胞自动机模拟 | 第130-138页 |
·表面粗糙度演化规则 | 第130-133页 |
·堆积密度演化规则 | 第133-138页 |
·结果与分析 | 第138-145页 |
·表面粗糙度 | 第138-141页 |
·堆积密度 | 第141-144页 |
·厚度分布 | 第144-145页 |
·本章小结 | 第145-147页 |
结论 | 第147-149页 |
参考文献 | 第149-159页 |
附录 | 第159-161页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第161-163页 |
哈尔滨工业大学博士学位论文原创性声明 | 第163页 |
哈尔滨工业大学博士学位论文使用授权书 | 第163-164页 |
哈尔滨工业大学博士学位涉密论文管理 | 第164-165页 |
致谢 | 第165-166页 |
个人简历 | 第166页 |