| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1．1 光折变机理研究 | 第7-8页 |
| 1．2 光折变材料 | 第8-9页 |
| 1．3 光折变材料的应用研究 | 第9-12页 |
| 1．4 本文的主要工作 | 第12-14页 |
| 参考文献 | 第12-14页 |
| 第二章 光折变波耦合条件分析 | 第14-26页 |
| 2．1 光折变波耦合理论 | 第14-16页 |
| 2．2 耦合条件分析方法 | 第16-19页 |
| 2．3 SBN晶体的波耦合条件 | 第19-22页 |
| 2．4 LiNbO_3晶体的波耦合条件 | 第22-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第三章 SBN:Cr晶体用于光信息处理过程的实验研究 | 第26-39页 |
| 3．1 晶体样品及其波耦合特性 | 第26-28页 |
| 3．2 全息读写过程中的像放大 | 第28-30页 |
| 3．3 全息读写过程中的边缘增强 | 第30-32页 |
| 3．4 关联记忆及匹配相关识别 | 第32-34页 |
| 3．5 四波混频相位共轭 | 第34-36页 |
| 3．6 光感应散射 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第四章 KNSBN:Cu和LiNbO_3:Fe晶体用于光信息处理过程的实验研究 | 第39-45页 |
| 4．1 KNSBN:Cu晶体在信息处理中的应用研究 | 第39-42页 |
| 4．2 LiNbO_3:Fe晶体在信息处理中的应用研究 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第五章 讨论与展望 | 第45-58页 |
| 5．1 其它实现边缘增强的方法 | 第45-48页 |
| 5．2 耦合条件分析法的局限性 | 第48-50页 |
| 5．3 耦合与全息存储 | 第50-52页 |
| 5．4 最佳耦合角的选取 | 第52-53页 |
| 5．5 光折变光学设计 | 第53-56页 |
| 5．6 实验光路调节 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第六章 结论 | 第58-59页 |
| 硕士期间发表的学位论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
