| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·纳米薄膜的相变现象 | 第11-13页 |
| ·纳米薄膜的非晶相 | 第13-15页 |
| ·纳米薄膜中非晶相的数学模型 | 第13-14页 |
| ·纳米薄膜中非晶相的相变 | 第14-15页 |
| ·电子束与纳米薄膜的相互作用 | 第15-16页 |
| ·相变材料Ge_2Sb_2Te_5和Sb_2Te_3-Si_x纳米薄膜的应用 | 第16-18页 |
| ·相变材料Ge_2Sb_2Te_5和Sb_2Te_3-Si_x纳米薄膜与相变存储 | 第16-17页 |
| ·相变材料Ge_2Sb_2Te_5和Sb_2Te_3-Si_x纳米薄膜的结构与性能 | 第17-18页 |
| ·电子束诱导的相变材料Ge_2Sb_2Te_5和Sb_2Te_3-Si_x纳米薄膜的相变 | 第18页 |
| ·本文研究的内容 | 第18-21页 |
| 第二章 电子束下非晶固体介质的分析理论 | 第21-27页 |
| ·纳米薄膜的电子束能量沉积理论 | 第21-24页 |
| ·纳米薄膜相变的电子衍射量化表征 | 第24-27页 |
| 第三章 实验方法与原理 | 第27-31页 |
| ·纳米薄膜的样品制备及热处理 | 第27页 |
| ·x 荧光光谱分析仪分析元素组分 | 第27页 |
| ·x 射线衍射仪分析纳米薄膜物相 | 第27页 |
| ·透射电镜用纳米薄膜样品的制备 | 第27-28页 |
| ·薄膜物相的透射电镜原位表征 | 第28-30页 |
| ·透射电子显微镜的结构 | 第28-29页 |
| ·透射电子显微镜的衬度与成像 | 第29-30页 |
| ·透射电子显微镜的微区成分分析 | 第30页 |
| ·纳米薄膜的DSC 差热分析 | 第30页 |
| ·纳米薄膜的四探针法电阻测定 | 第30-31页 |
| 第四章 Ge_2Sb_2Te_5和Sb_2Te_3-Si_x纳米薄膜的结构与性能 | 第31-51页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5和Sb_2Te_3-Si_x 纳米薄膜的性能分析 | 第31-34页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5和Sb_2Te_3-Si_x纳米薄膜的性能分析的实验结果 | 第31-33页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5和Sb_2Te_3-Si_x纳米薄膜的性能分析的理论分析 | 第33-34页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5和Sb_2Te_3-Si_x纳米薄膜的性能分析的总结 | 第34页 |
| ·Sb_2Te_3纳米薄膜的原位相变的结构的表征 | 第34-39页 |
| ·Sb_2Te_3纳米薄膜的原位相变的结构表征的实验结果 | 第34-37页 |
| ·Sb_2Te_3纳米薄膜的原位相变的结构表征的理论分析 | 第37-38页 |
| ·Sb_2Te_3纳米薄膜的原位相变的结构表征的总结 | 第38-39页 |
| ·Sb_2Te_3-Si0.4纳米薄膜的原位相变的结构表征 | 第39-45页 |
| ·Sb_2Te_3-Si_(0.4) 纳米薄膜的原位相变的结构表征的实验结果 | 第39-43页 |
| ·Sb_2Te_3-Si_(0.4) 纳米薄膜的原位相变的结构表征的理论分析 | 第43-44页 |
| ·Sb_2Te_3-Si_(0.4)纳米薄膜的原位相变的结构的表征总结 | 第44-45页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5纳米薄膜的原位相变的结构的表征 | 第45-48页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5纳米薄膜的原位相变的结构表征的实验结果 | 第45-47页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5纳米薄膜的原位相变的结构表征的理论分析 | 第47页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5纳米薄膜的原位相变的结构表征的总结 | 第47-48页 |
| ·本章总结 | 第48-51页 |
| 第五章 电子束诱导的Ge_2Sb_2Te_5和Sb_2Te_2-Si_x纳米薄膜相变规律 | 第51-59页 |
| ·电子束诱导Ge_2Sb_2Te_5和Sb_2Te_3-Si_x纳米薄膜相变的实验规律 | 第51-55页 |
| ·电子束诱导Ge_2Sb_2Te_5和Sb_2Te_3-Si_x纳米薄膜相变的理论分析 | 第55-57页 |
| ·本章总结 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 攻读学位期间所发表的学术论文 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
