| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-17页 |
| ·微电子领域的新进展 | 第7-8页 |
| ·有机薄膜晶体管（OTFT） | 第8-15页 |
| ·有机薄膜晶体管的有源层材料 | 第8-10页 |
| ·有机薄膜晶体管的制备方法 | 第10-11页 |
| ·有机薄膜晶体管的应用及前景展望 | 第11-15页 |
| ·本论文主要内容 | 第15-17页 |
| 第二章 并五苯为有源层的有机薄膜晶体管 | 第17-34页 |
| ·有机薄膜晶体管的物理结构 | 第18-21页 |
| ·有机薄膜晶体管的工作机理 | 第21-28页 |
| ·有机薄膜晶体管中载流子的运动 | 第21-26页 |
| ·有机薄膜晶体管电流－电压特性及性能参数的提取方法 | 第26-28页 |
| ·顶接触型并五苯薄膜晶体管的制备及性能参数的提取 | 第28-32页 |
| ·器件的制备工艺 | 第28-30页 |
| ·器件结构及其性能 | 第30-32页 |
| ·本章结论 | 第32-34页 |
| 第三章 基于改善源漏接触的有机薄膜晶体管 | 第34-55页 |
| ·有机薄膜晶体管的源极、漏极与有源层的接触 | 第34-40页 |
| ·基于m-MTDATA 掺杂夹层的有机薄膜晶体管 | 第40-46页 |
| ·实验细节 | 第40-42页 |
| ·m-MTDATA 的空穴注入效应 | 第42-43页 |
| ·m-MTDATA 掺杂夹层OTFT 器件性能分析 | 第43-45页 |
| ·m-MTDATA 掺杂夹层OTFT 性能改善的原因分析 | 第45-46页 |
| ·基于三氧化钼－金复合源漏电极的有机薄膜晶体管 | 第46-53页 |
| ·实验细节 | 第47-48页 |
| ·三氧化钼－金复合电极 OTFT 性能分析 | 第48-51页 |
| ·三氧化钼－金复合电极OTFT 性能改善的原因分析 | 第51-53页 |
| ·本章结论 | 第53-55页 |
| 第四章 一种分析 P型OTFT电学特性的理论模型 | 第55-66页 |
| ·推导说明（基本公式） | 第56-61页 |
| ·推导说明（饱和区源漏电流分析） | 第61-64页 |
| ·本章结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-78页 |
| 摘要 | 第78-80页 |
| ABSTRACT | 第80-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
