| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-27页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·GaN材料与发光器件的发展 | 第10-11页 |
| ·GaN的晶体结构 | 第11-14页 |
| ·氮化物的性质 | 第14-17页 |
| ·电学性质 | 第14-15页 |
| ·光学性质 | 第15-17页 |
| ·GaN材料的衬底选择 | 第17-23页 |
| ·蓝宝石衬底 | 第20-21页 |
| ·SiC衬底 | 第21-22页 |
| ·Si衬底结构和性能 | 第22-23页 |
| ·可靠性基本原理 | 第23-26页 |
| ·可靠性的定义及基本参量 | 第23-24页 |
| ·半导体的失效规律及常用的寿命分布 | 第24-26页 |
| ·本论文研究内容和行文安排 | 第26-27页 |
| 第二章 Si衬底 GaN基蓝光 LED器件发光特性研究 | 第27-37页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·GaN基 LED的相关知识 | 第27-30页 |
| ·与 LED效率相关的几个概念 | 第28-29页 |
| ·表征 LED光学特性的基本参数 | 第29-30页 |
| ·GaN基 LED光电性能测试分析研究 | 第30-35页 |
| ·LED测试装置 | 第30页 |
| ·GaN/Si上下结构蓝光 LED光电参数随电流密度的变化 | 第30-32页 |
| ·不同衬底的GaN蓝光 LED相对光输出强度随电流的变化 | 第32页 |
| ·不同衬底的GaN蓝光 LED主波长随电流的变化 | 第32-34页 |
| ·不同衬底的GaN蓝光 LED EL谱随电流的变化 | 第34-35页 |
| ·小结 | 第35-37页 |
| 第三章 Si衬底 GaN基 LED器件老化特性研究 | 第37-53页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·计算 LED寿命的方法 | 第38-41页 |
| ·普通条件外推法 | 第38页 |
| ·温度加速寿命实验法 | 第38-39页 |
| ·电流加速寿命实验法 | 第39-41页 |
| ·GaN基蓝光 LED老化寿命实验分析 | 第41-52页 |
| ·GaN/Si蓝光 LED老化情况 | 第41-47页 |
| ·GaN/Al_2O_3蓝光 LED老化情况 | 第47-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第四章 静电对 Si衬底 GaN基蓝光 LED器件寿命的影响 | 第53-73页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·静电与危害 | 第54-59页 |
| ·对静电放电危害的认识过程 | 第54-55页 |
| ·静电放电过程及特点 | 第55-56页 |
| ·环境对静电的影响 | 第56-57页 |
| ·静电危害的特点 | 第57-58页 |
| ·影响静电产生的因素 | 第58-59页 |
| ·静电对 GaN/Si蓝光 LED参数的影响 | 第59-61页 |
| ·GaN/Si蓝光LED器件失效前后I-V特性及光输出功率的变化 | 第59-60页 |
| ·静电对 GaN/Si蓝光 LED光输出功率的影响 | 第60-61页 |
| ·承受不同静电电压击打的GaN/Si蓝光 LED的寿命研究 | 第61-66页 |
| ·相同静电电压不同时段不同次数击打对 GaN/Si LED寿命的影响 | 第66-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| 第五章 结论 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第82页 |
