| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1. 绪论 | 第8-18页 |
| ·选题意义 | 第8-9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-11页 |
| ·研究的理论基础 | 第11-17页 |
| ·余氏理论（EET）和键距差法（BLD） | 第11-14页 |
| ·程氏理论（改进的TFD 理论） | 第14-16页 |
| ·合金电子理论 | 第16-17页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 2 Al-Mg-Si 合金过饱和固溶体和 GP 区的相结构计算 | 第18-34页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·Al-Mg-Si 合金过饱和固溶体及GP 区中的相 | 第18-19页 |
| ·Al-Mg-Si 合金过饱和固溶体和GP 区中相结构因子n_A 的计算 | 第19-32页 |
| ·α-Al 结构单元中相结构因子n_A 的计算 | 第19-21页 |
| ·α-Al-Si 结构单元中相结构因子n_A 的计算 | 第21-23页 |
| ·α-Al-Mg 相结构单元中相结构因子n_A 的计算 | 第23-25页 |
| ·α-Al-Mg-Si 结构单元中相结构因子n_A 的计算 | 第25-28页 |
| ·GP 区结构单元中相结构因子n_A 的计算 | 第28-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 3 Al-Mg-Si 合金过饱和固溶体及 GP 区相界面电子结构的计算 | 第34-44页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·Al-Mg-Si 合金时效强化中过饱和固溶体中及GP 区的界面 | 第34-35页 |
| ·Al-Mg-Si 合金过饱和固溶体和GP 区中界面结合因子的计算 | 第35-42页 |
| ·α-Al/α-Al-Si 相界面上界面结合因子的计算 | 第35-37页 |
| ·α-Al/α-Al-Mg 相界面上界面结合因子的计算 | 第37-38页 |
| ·α-Al/α-Al-Mg-Si 相界面上界面结合因子的计算 | 第38-40页 |
| ·α-Al /GP 区相界面上界面结合因子的计算 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 4 Al-Mg-Si 合金中稳定相 Mg_2Si 相及相界面电子结构的计算 | 第44-51页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·Al-Mg-Si 合金中稳定相Mg_2Si 相的相结构因子n_A 的计算 | 第44-47页 |
| ·Mg_2Si 晶胞实验键距的计算 | 第44-45页 |
| ·Mg_2Si 晶胞等同键数的计算 | 第45页 |
| ·Mg_2Si 相的键距方程和r_α′方程的建立 | 第45-46页 |
| ·n_A 方程 | 第46页 |
| ·理论键距和键距差 | 第46-47页 |
| ·Mg_2Si 相的界面结合因子的计算 | 第47-49页 |
| ·α-Al 相（100）面的电子结构 | 第47-48页 |
| ·Mg_2Si 相（100）面的电子结构 | 第48页 |
| ·α-Al/Mg_2Si 相界面上的电子结构 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 5 Al-Mg-Si 合金过渡相β′相及相界面电子结构的计算 | 第51-57页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·过渡相β′相的相结构因子n_A 的计算 | 第51-56页 |
| ·β′晶胞实验键距的计算 | 第52页 |
| ·β′晶胞等同键数的计算 | 第52-53页 |
| ·β′相的键距方程和r_α′方程的建立 | 第53-54页 |
| ·n_A 方程 | 第54页 |
| ·理论键距和键距差 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 6 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
