TR管的高功率微波效应研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-12页 |
| ·“前门”耦合效应及接收机保护发展态势 | 第8-10页 |
| ·论文安排及创新点 | 第10-12页 |
| 第二章 TR管的冷腔计算和边带泄漏机理研究 | 第12-35页 |
| ·气体放电管概述 | 第12-13页 |
| ·气体放电器的结构 | 第13页 |
| ·TR管的放电特性 | 第13-15页 |
| ·在CST中建模 | 第15-21页 |
| ·仿真步骤及结果 | 第16-21页 |
| ·TR管带外泄漏的机理研究 | 第21-23页 |
| ·不同谐振隙结构的隙间电场强度分析 | 第23-30页 |
| ·寄生通带内的场强分布以及隙间场强 | 第30-35页 |
| ·第一寄生通带内的场强分布和场强因子 | 第32-33页 |
| ·第二寄生通带内的隙间场强和场强因子 | 第33-35页 |
| 第三章 击穿时间与恢复时间的理论分析 | 第35-59页 |
| ·击穿场强和着火功率的计算 | 第35-40页 |
| ·击穿时间的计算 | 第40-43页 |
| ·天线开关中微波气体放电的功率损耗 | 第43-48页 |
| ·恢复时间的计算 | 第48-50页 |
| ·CST中模拟谐振隙间导电过程 | 第50-54页 |
| ·验证等离子体对入射波的反射 | 第54-59页 |
| 第四章 实验结果与分析 | 第59-76页 |
| ·实验依据及条件 | 第59-61页 |
| ·带内实验结果 | 第61-66页 |
| ·带外实验 | 第66-73页 |
| ·下边带实验 | 第66-68页 |
| ·上边带实验 | 第68-73页 |
| ·泄漏功率和重频的关系 | 第73-76页 |
| 第五章 结束语 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第79页 |