| 摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第一章 概论 | 第8-23页 |
| 引言 | 第8页 |
| ·半导体核辐射器简介 | 第8-13页 |
| ·气体探测器 | 第9-11页 |
| ·闪烁探测器 | 第11页 |
| ·半导体探测器 | 第11-13页 |
| ·室温半导体探测器材料研究进展 | 第13-15页 |
| ·室温半导体核辐射探测器的现状 | 第15-18页 |
| ·GaAs 核辐射探测器 | 第16页 |
| ·CdTe 核辐射探测器 | 第16-17页 |
| ·HgI_2 核辐射探测器 | 第17页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_XTe（CZT）探测器 | 第17页 |
| ·其它化合物半导体核辐射探测器 | 第17-18页 |
| ·CDSE 晶体与探测器 | 第18-22页 |
| ·CdSe 的基本特性 | 第18-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第二章 CDSE 晶体生长 | 第23-29页 |
| ·CDSE 多晶原料提纯 | 第23页 |
| ·多晶原料提纯原理 | 第23页 |
| ·CDSE 单晶体的生长方法 | 第23-26页 |
| ·垂直无籽气相提拉法（VUVG）生长CDSE 单晶体 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 CDSE 晶片的表面处理 | 第29-56页 |
| ·CDSE 晶体的切割 | 第29-30页 |
| ·半导体表面理论 | 第30-34页 |
| ·晶体的表面结构 | 第30-31页 |
| ·理想表面、清洁表面 | 第31-33页 |
| ·实际表面 | 第33-34页 |
| ·表面态 | 第34页 |
| ·CDSE 晶体研磨 | 第34-38页 |
| ·研磨设备 | 第35-36页 |
| ·研磨工艺 | 第36页 |
| ·CdSe 晶片研磨 | 第36-38页 |
| ·CDSE 机械抛光 | 第38-40页 |
| ·机械抛光工艺 | 第38-40页 |
| ·CDSE 化学抛光 | 第40-46页 |
| ·HNO_3抛光液 | 第41-43页 |
| ·溴甲醇 | 第43-45页 |
| ·化学抛光总结 | 第45-46页 |
| ·化学机械抛光 | 第46-56页 |
| ·化学机械抛光（CMP）原理 | 第46-47页 |
| ·抛光液组成及其性质对抛光效果的影响 | 第47-48页 |
| ·CdSe 晶片的准备 | 第48页 |
| ·抛光液的配制 | 第48-49页 |
| ·化学机械抛光 | 第49页 |
| ·CdSe 晶片抛光前后金相照片 | 第49-52页 |
| ·CMP 表面抛光效果讨论 | 第52-53页 |
| ·CMP 抛光后晶片的电学性能测试与讨论 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 CDSE 晶片表面钝化 | 第56-61页 |
| ·晶片制备 | 第56页 |
| ·钝化实验、样品测试及结果分析 | 第56-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| ·结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研情况 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |