| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| §1-1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| §1-2 AZO 薄膜的研究历史 | 第10-11页 |
| §1-3 本论文主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 相关理论及实验设备 | 第12-20页 |
| §2-1 薄膜生长理论 | 第12-13页 |
| 2-1-1 薄膜形成模式 | 第12页 |
| 2-1-2 成核与生长的物理过程 | 第12-13页 |
| §2-2 ZnO 和AZO 材料特性 | 第13-14页 |
| 2-2-1 ZnO 的晶体结构 | 第13-14页 |
| 2-2-2 ZnO 的光电特性 | 第14页 |
| §2-3 欧姆接触原理 | 第14-15页 |
| §2-4 P 型GaN 接触的研究现状 | 第15-16页 |
| §2-5 设备以及仪器 | 第16-20页 |
| 2-5-1 溅射系统 | 第16-17页 |
| 2-5-2 膜厚测量 | 第17页 |
| 2-5-3 电阻率测量 | 第17-18页 |
| 2-5-4 透光率测量 | 第18页 |
| 2-5-5 表面形貌的测量 | 第18-19页 |
| 2-5-6 成份以及结构分析 | 第19-20页 |
| 第三章 AZO 薄膜制备实验以及结果分析 | 第20-35页 |
| §3-1 薄膜制备过程 | 第20-21页 |
| §3-2 溅射条件对薄膜性能的影响 | 第21-30页 |
| 3-2-1 溅射温度对薄膜性能的影响 | 第22-24页 |
| 3-2-2 TSD 对AZO 性能的影响 | 第24-25页 |
| 3-2-3 溅射功率对AZO 性能的影响 | 第25-26页 |
| 3-2-4 气体流量对AZO 电特性的影响 | 第26-28页 |
| 3-2-5 溅射时间对AZO 电特性的影响 | 第28-30页 |
| §3-3 退火条件对AZO 薄膜的影响 | 第30-35页 |
| 3-3-1 退火温度对AZO 性能的影响 | 第30-32页 |
| 3-3-2 氢气氛围中退火对薄膜结构的影响 | 第32-34页 |
| 3-3-3 氢气氛围中退火对薄膜光电性能的影响 | 第34-35页 |
| 第四章 AZO 在 GaN 基 LED 中的应用 | 第35-41页 |
| §4-1 欧姆接触实验 | 第35-37页 |
| 4-1-1 AZO 同 P-GaN 的接触特性 | 第35-36页 |
| 4-1-2 ITO/AZO 同 P-GaN 的欧姆接触特性 | 第36-37页 |
| §4-2 GaN 基蓝光 LED 的制备 | 第37-40页 |
| 4-2-1 GaN 基蓝光 LED 的工艺流程 | 第37-38页 |
| 4-2-2 单颗管芯的光强分布 | 第38-39页 |
| 4-2-3 单颗管芯的 I-V 特性曲线 | 第39-40页 |
| §4-3 后续工作 | 第40-41页 |
| 第五章 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第46页 |