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射频反应磁控溅射法制备Al2O3薄膜结构与性能的研究

第一章 绪论第1-30页
   ·引言第14-15页
   ·Al_2O_3薄膜的概述第15-20页
     ·Al_2O_3材料的特性第16-17页
     ·Al_2O_3薄膜的特性和应用第17-20页
       ·光学领域第18-19页
       ·机械领域第19页
       ·微电子领域第19-20页
   ·Al_2O_3薄膜的制备方法第20-25页
     ·物理气相沉积(PVD)第20-23页
       ·真空蒸发(VE)第20-21页
       ·磁控溅射(MS)第21-22页
       ·离子束辅助沉积(IBAD)第22页
       ·脉冲激光沉积(PLD)第22-23页
     ·化学气相沉积(CVD)第23-25页
       ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD)第23页
       ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD)第23-24页
       ·溶胶—凝胶法(Sol—Gel)第24-25页
   ·薄膜的检测技术第25-28页
     ·结构分析第25页
     ·薄膜成分分析第25-26页
     ·薄膜表面形貌分析第26-27页
     ·薄膜硬度测量第27-28页
   ·本文研究内容及意义第28-30页
第二章 射频(RF)反应磁控溅射制备Al_2O_3薄膜第30-43页
   ·引言第30页
   ·溅射基本原理第30-37页
     ·辉光放电第31-32页
     ·溅射率第32-35页
     ·溅射原子的能量和方向第35-36页
     ·溅射机理第36-37页
   ·射频(RF)反应磁控溅射镀膜机理第37-39页
   ·薄膜的沉积过程第39-40页
   ·射频(RF)反应磁控溅射系统及实验操作步骤第40-41页
     ·射频(RF)磁控溅射系统第40-41页
     ·射频(RF)磁控溅射法制备Al_2O_3薄膜的操作步骤第41页
   ·衬底的清洗方法第41-42页
   ·Al_2O_3薄膜的制备第42页
   ·本章小结第42-43页
第三章 工艺参数对室温沉积的Al_2O_3薄膜的结构和沉积速率的影响第43-55页
   ·引言第43页
   ·Al_2O_3薄膜沉积速率的研究第43-51页
     ·射频功率对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响第44-46页
     ·溅射气压对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响第46-48页
     ·靶基距对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响第48-49页
     ·O_2气流量对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响第49-51页
   ·室温沉积的Al_2O_3薄膜XRD和AFM分析第51-52页
   ·Al_2O_3薄膜的XPS分析第52-53页
   ·本章小结第53-55页
第四章 沉积温度对溅射制备Al_2O_3薄膜性能的影响第55-63页
   ·引言第55页
   ·沉积温度对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响第55-56页
   ·不同沉积温度下溅射的Al_2O_3薄膜XRD分析第56-57页
   ·不同沉积温度下溅射的Al_2O_3薄膜AFM分析第57-61页
   ·沉积温度对Al_2O_3薄膜的显微硬度影响第61-62页
   ·本章小结第62-63页
第五章 退火工艺对不锈钢衬底上溅射沉积的Al_2O_3薄膜的微观结构和性能的影响第63-80页
   ·引言第63-64页
   ·非晶Al_2O_3薄膜的制备第64-65页
     ·不锈钢衬底的准备第64页
     ·非晶Al_2O_3薄膜的制备过程第64-65页
   ·非晶Al_2O_3薄膜的退火处理第65-66页
   ·晶态Al_2O_3薄膜的性能测试第66-67页
   ·结果与讨论第67-78页
     ·膜层厚度对Al_2O_3薄膜性能影响第67-70页
       ·XRD分析第67-69页
       ·显微硬度第69-70页
     ·退火温度对Al_2O_3薄膜性能影响第70-78页
       ·XRD分析第70-72页
       ·AFM分析第72-77页
       ·显微硬度第77-78页
   ·本章小结第78-80页
第六章 总结与展望第80-82页
参考文献第82-88页
硕士期间发表论文情况第88页

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