第一章 绪论 | 第1-30页 |
·引言 | 第14-15页 |
·Al_2O_3薄膜的概述 | 第15-20页 |
·Al_2O_3材料的特性 | 第16-17页 |
·Al_2O_3薄膜的特性和应用 | 第17-20页 |
·光学领域 | 第18-19页 |
·机械领域 | 第19页 |
·微电子领域 | 第19-20页 |
·Al_2O_3薄膜的制备方法 | 第20-25页 |
·物理气相沉积(PVD) | 第20-23页 |
·真空蒸发(VE) | 第20-21页 |
·磁控溅射(MS) | 第21-22页 |
·离子束辅助沉积(IBAD) | 第22页 |
·脉冲激光沉积(PLD) | 第22-23页 |
·化学气相沉积(CVD) | 第23-25页 |
·等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第23页 |
·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第23-24页 |
·溶胶—凝胶法(Sol—Gel) | 第24-25页 |
·薄膜的检测技术 | 第25-28页 |
·结构分析 | 第25页 |
·薄膜成分分析 | 第25-26页 |
·薄膜表面形貌分析 | 第26-27页 |
·薄膜硬度测量 | 第27-28页 |
·本文研究内容及意义 | 第28-30页 |
第二章 射频(RF)反应磁控溅射制备Al_2O_3薄膜 | 第30-43页 |
·引言 | 第30页 |
·溅射基本原理 | 第30-37页 |
·辉光放电 | 第31-32页 |
·溅射率 | 第32-35页 |
·溅射原子的能量和方向 | 第35-36页 |
·溅射机理 | 第36-37页 |
·射频(RF)反应磁控溅射镀膜机理 | 第37-39页 |
·薄膜的沉积过程 | 第39-40页 |
·射频(RF)反应磁控溅射系统及实验操作步骤 | 第40-41页 |
·射频(RF)磁控溅射系统 | 第40-41页 |
·射频(RF)磁控溅射法制备Al_2O_3薄膜的操作步骤 | 第41页 |
·衬底的清洗方法 | 第41-42页 |
·Al_2O_3薄膜的制备 | 第42页 |
·本章小结 | 第42-43页 |
第三章 工艺参数对室温沉积的Al_2O_3薄膜的结构和沉积速率的影响 | 第43-55页 |
·引言 | 第43页 |
·Al_2O_3薄膜沉积速率的研究 | 第43-51页 |
·射频功率对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第44-46页 |
·溅射气压对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第46-48页 |
·靶基距对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第48-49页 |
·O_2气流量对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第49-51页 |
·室温沉积的Al_2O_3薄膜XRD和AFM分析 | 第51-52页 |
·Al_2O_3薄膜的XPS分析 | 第52-53页 |
·本章小结 | 第53-55页 |
第四章 沉积温度对溅射制备Al_2O_3薄膜性能的影响 | 第55-63页 |
·引言 | 第55页 |
·沉积温度对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第55-56页 |
·不同沉积温度下溅射的Al_2O_3薄膜XRD分析 | 第56-57页 |
·不同沉积温度下溅射的Al_2O_3薄膜AFM分析 | 第57-61页 |
·沉积温度对Al_2O_3薄膜的显微硬度影响 | 第61-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
第五章 退火工艺对不锈钢衬底上溅射沉积的Al_2O_3薄膜的微观结构和性能的影响 | 第63-80页 |
·引言 | 第63-64页 |
·非晶Al_2O_3薄膜的制备 | 第64-65页 |
·不锈钢衬底的准备 | 第64页 |
·非晶Al_2O_3薄膜的制备过程 | 第64-65页 |
·非晶Al_2O_3薄膜的退火处理 | 第65-66页 |
·晶态Al_2O_3薄膜的性能测试 | 第66-67页 |
·结果与讨论 | 第67-78页 |
·膜层厚度对Al_2O_3薄膜性能影响 | 第67-70页 |
·XRD分析 | 第67-69页 |
·显微硬度 | 第69-70页 |
·退火温度对Al_2O_3薄膜性能影响 | 第70-78页 |
·XRD分析 | 第70-72页 |
·AFM分析 | 第72-77页 |
·显微硬度 | 第77-78页 |
·本章小结 | 第78-80页 |
第六章 总结与展望 | 第80-82页 |
参考文献 | 第82-88页 |
硕士期间发表论文情况 | 第88页 |