晶体生长过程的光学干涉法研究
| 第1章 绪论 | 第1-17页 |
| ·研究意义和背景 | 第11-13页 |
| ·晶体形态研究现状 | 第13-14页 |
| ·光学实时观测法研究现状 | 第14-15页 |
| ·本文研究内容 | 第15页 |
| ·本章小结 | 第15-17页 |
| 第2章 晶体生长理论及实时观测方法 | 第17-35页 |
| ·晶体结晶的一般过程 | 第17页 |
| ·组分过冷现象 | 第17-18页 |
| ·晶体的形核与长大 | 第18-21页 |
| ·晶体的形核 | 第18-19页 |
| ·晶体的长大 | 第19-20页 |
| ·固--液界面结构 | 第20页 |
| ·晶体的长大方式 | 第20-21页 |
| ·界面稳定性和组分过冷 | 第21-26页 |
| ·界面稳定性的定性描述 | 第22页 |
| ·温度梯度对界面稳定性的影响 | 第22-23页 |
| ·溶质浓度对界面稳定性的影响 | 第23-25页 |
| ·界面能对界面稳定性的影响 | 第25-26页 |
| ·胞晶和枝晶的形成 | 第26-32页 |
| ·胞晶和枝晶生长的基本理论 | 第26-29页 |
| ·胞状界面 | 第29-31页 |
| ·胞状组织 | 第31-32页 |
| ·枝晶生长 | 第32页 |
| ·晶体生长的研究方法 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第3章 实验原理和装置 | 第35-45页 |
| ·光学检测方法 | 第35-38页 |
| ·光学干涉原理 | 第38-40页 |
| ·晶体生长系统 | 第40-43页 |
| ·晶体生长室 | 第40-41页 |
| ·晶体生长室内温度的分布测量 | 第41-43页 |
| ·记录和监视系统 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 丁二腈晶体生长界面形态研究 | 第45-55页 |
| ·实验材料的选择 | 第45-46页 |
| ·纯金属的凝固特征 | 第46页 |
| ·实验过程 | 第46-47页 |
| ·实验结果 | 第47-51页 |
| ·丁二腈晶体生长过程 | 第47页 |
| ·晶体生长室中上下部分条纹的对比 | 第47-48页 |
| ·晶体生长过程中晶体生长室上部和下部条纹的变化 | 第48-51页 |
| ·结果分析 | 第51-53页 |
| ·枝--胞转变界面形态演化过程 | 第51-52页 |
| ·枝晶尖端开裂机理 | 第52页 |
| ·条纹的变化 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 表4-1：丁二腈基本性质 | 第54-55页 |
| 第5章 浮雕相衬显微镜的晶体生长观测 | 第55-71页 |
| ·实验方法 | 第55-56页 |
| ·晶体生长速率的测定 | 第56-58页 |
| ·温度梯度的测定 | 第58页 |
| ·界面各向异性 | 第58页 |
| ·合金的凝固特征 | 第58-59页 |
| ·规则界面形态 | 第59-65页 |
| ·胞晶和枝晶的演化特征 | 第60-62页 |
| ·胞晶的演化 | 第60-61页 |
| ·枝晶的演化 | 第61-62页 |
| ·胞晶--枝晶形态转变 | 第62-63页 |
| ·枝晶的产生和淘汰 | 第63-65页 |
| ·不规则界面形态 | 第65-68页 |
| ·两种不规则界面 | 第65-67页 |
| ·生长速率对不规则界面形貌的影响 | 第67-68页 |
| ·不规则界面的特性 | 第68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 表5-1：丁二腈--水合金物理性质参数 | 第70-71页 |
| 第6章 结论与展望 | 第71-75页 |
| ·结论 | 第71-72页 |
| ·展望 | 第72-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 西北工业大学学位论文知识产权声明书 | 第85页 |
| 西北工业大学学位论文原创性声明 | 第85页 |
