| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-33页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·半导体硅材料 | 第12-14页 |
| ·硅单晶的制备 | 第14-15页 |
| ·区熔法(Floating zone,FZ) | 第14-15页 |
| ·直拉法(Czochralski,CZ) | 第15页 |
| ·硅中氮及氮氧复合体 | 第15-26页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·氮的引入 | 第16页 |
| ·氮的测量 | 第16-18页 |
| ·氮在硅单晶中的存在形态 | 第18-19页 |
| ·氮在硅中的溶解度及其扩散 | 第19-22页 |
| ·氮对单晶硅材料缺陷的影响 | 第22-23页 |
| ·氮氧复合体的热稳定性以及对硅片电学性能的影响 | 第23-26页 |
| ·快速热处理(RTP)工艺 | 第26-28页 |
| ·RTP的优点和在集成电路中的应用 | 第26页 |
| ·RTP在硅中引入空位的机制 | 第26-28页 |
| ·离子注入工艺 | 第28-33页 |
| ·离子注入系统 | 第28-29页 |
| ·注入离子在单晶硅中的分布 | 第29-30页 |
| ·单晶硅中离子注入损伤及其消除方法 | 第30-33页 |
| 第三章 实验设备及其实验设计 | 第33-40页 |
| ·实验设备 | 第33-38页 |
| ·离子注入机 | 第33-34页 |
| ·快速热处理炉(RTP) | 第34-35页 |
| ·傅立叶变换红外光谱仪器(FTIR) | 第35-36页 |
| ·正电子湮没多普勒展宽能谱(DBS) | 第36-37页 |
| ·扩展电阻仪(SRP) | 第37页 |
| ·四探针测试仪 | 第37-38页 |
| ·常规热处理炉 | 第38页 |
| ·实验设计 | 第38-39页 |
| ·样品的制备 | 第39-40页 |
| 第四章 氮离子注入硅中氮行为的研究 | 第40-60页 |
| ·前言 | 第40页 |
| ·氮离子注入硅中氮—空位复合体的红外光谱研究 | 第40-49页 |
| ·实验样品 | 第41页 |
| ·实验步骤 | 第41-42页 |
| ·实验结果与讨论 | 第42-49页 |
| 一：实验结果 | 第42-47页 |
| 二：理论计算 | 第47-49页 |
| ·DBS研究经RTP处理的氮离子注入硅中空位的变化情况 | 第49-55页 |
| ·实验样品 | 第50页 |
| ·实验步骤 | 第50-51页 |
| ·实验结果与讨论 | 第51-55页 |
| ·氮离子注入对硅单晶电学性能的影响 | 第55-59页 |
| ·实验样品 | 第55-56页 |
| ·实验步骤 | 第56页 |
| ·实验结果与讨论 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 氮氧同时注入硅单晶中氮氧复合体的RTP退火行为研究 | 第60-70页 |
| ·前言 | 第60页 |
| ·氮氧复合体的退火行为研究 | 第60-65页 |
| ·实验样品 | 第60-61页 |
| ·实验步骤 | 第61-62页 |
| ·实验结果与讨论 | 第62-65页 |
| ·氮氧复合体的电学性能研究 | 第65-68页 |
| ·实验样品 | 第65-66页 |
| ·实验步骤 | 第66页 |
| ·实验结果与讨论 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 附录 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |