| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-34页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·卟啉合成研究进展 | 第13-16页 |
| ·卟啉合成研究的意义 | 第13页 |
| ·卟啉合成研究进展 | 第13-16页 |
| ·有机电致发光材料和器件的研究 | 第16-30页 |
| ·有机电致发光材料和器件的研究进展 | 第16-19页 |
| ·OLEDs 器件的结构 | 第19-21页 |
| ·有机电致发光材料 | 第21-26页 |
| ·有机电致发光机理简介 | 第26-30页 |
| ·卟啉化合物作为电致发光材料的研究 | 第30-32页 |
| ·本课题研究的目的、意义及工作内容 | 第32-34页 |
| 第2章 中位芳基吡唑卟啉分子设计 | 第34-43页 |
| ·卟啉分子设计 | 第34-35页 |
| ·含吡唑杂环取代卟啉合成路线设计 | 第35-41页 |
| ·卟啉目标分子的合成分析 | 第35-37页 |
| ·1-芳基吡唑醛的合成分析 | 第37-39页 |
| ·1-芳基吡唑环的逆合成分析 | 第39-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第3章 中位取代芳基吡唑卟啉的合成、表征及其合成方法研究 | 第43-65页 |
| ·仪器与试剂 | 第43-44页 |
| ·实验 | 第44-53页 |
| ·芳基肼的合成 | 第44-46页 |
| ·1-芳基吡唑的合成 | 第46-48页 |
| ·1-芳基吡唑-4-醛的合成 | 第48-51页 |
| ·中位取代吡唑基卟啉的合成 | 第51-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-65页 |
| ·芳基肼的合成研究 | 第53-55页 |
| ·1-芳基吡唑的合成与表征 | 第55-57页 |
| ·1-芳基吡唑-4-醛的合成与表征 | 第57-60页 |
| ·中位芳基吡唑卟啉的合成与表征 | 第60-65页 |
| 第4章 中位取代吡唑基卟啉的光谱性质 | 第65-74页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·实验部分 | 第65-66页 |
| ·仪器与试剂 | 第65页 |
| ·实验 | 第65-66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-74页 |
| ·卟啉化合物的紫外光谱性质 | 第66-69页 |
| ·卟啉化合物的荧光性质 | 第69-74页 |
| 第5章 有机电致发光器件的制备 | 第74-82页 |
| ·仪器与试剂 | 第74-75页 |
| ·仪器 | 第74页 |
| ·试剂 | 第74-75页 |
| ·发光器件的制作 | 第75-76页 |
| ·中位芳基吡唑卟啉掺杂 A1q_3 的电致发光器件的制作 | 第75页 |
| ·中位芳基吡唑卟啉掺杂 TPD 的电致发光器件的制作 | 第75-76页 |
| ·结构与讨论 | 第76-82页 |
| ·有机电致发光器件制作工艺 | 第76-80页 |
| ·发光器件结构的设计 | 第80-82页 |
| 第6章 中位芳基吡唑卟啉分别掺杂 A1q_3 和 TPD 主体材料的电致发光性能研究 | 第82-108页 |
| ·有机电致发光器件性能的测试 | 第82页 |
| ·仪器 | 第82页 |
| ·器件性能测试方法 | 第82页 |
| ·中位芳基吡唑卟啉掺杂 A1q_3 的电致发光性能研究 | 第82-101页 |
| ·8-羟基喹啉铝(A1q_3)作为电子传输层的研究 | 第83-84页 |
| ·掺杂浓度对器件发光性能的影响 | 第84-93页 |
| ·卟啉外围取代基对器件发光性能的影响 | 第93-101页 |
| ·中位芳基吡唑卟啉掺杂 TPD 的电致发光性能研究 | 第101-108页 |
| ·器件的性能及结果分析 | 第102-108页 |
| 结论 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 附录 A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第122-123页 |
| 附录 B 化合物谱图 | 第123-141页 |
