| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-9页 |
| 第二章 文献综述 | 第9-24页 |
| ·LiNbO_3的晶体结构 | 第9-11页 |
| ·LiNbO_3的物理性质及其主要特性 | 第11-14页 |
| ·电光特性 | 第12页 |
| ·压电特性 | 第12-14页 |
| ·LiNbO_3薄膜的研究现状 | 第14-16页 |
| ·LiNbO_3薄膜的制备技术 | 第16-20页 |
| ·溅射法(Sputtering) | 第16-17页 |
| ·溶胶—凝胶法(Sol-gel) | 第17-18页 |
| ·金属有机物气相外延(MOCVD) | 第18-20页 |
| ·立题背景及依据 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第三章 实验原理方法及仪器设备 | 第24-40页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)概述 | 第24-26页 |
| ·PLD的基本原理 | 第26-31页 |
| ·PLD薄膜生长实验系统简介 | 第31-34页 |
| ·实验流程图 | 第34-35页 |
| ·实验方法 | 第35-37页 |
| ·分析测试设备 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第四章 实验与结果讨论 | 第40-76页 |
| ·靶材制备与表征 | 第40-43页 |
| ·靶材制备 | 第40-41页 |
| ·靶材表征 | 第41-43页 |
| ·Si(111)衬底上生长LiNbO_3薄膜 | 第43-57页 |
| ·衬底温度对LiNbO_3／Si(111)薄膜生长的影响 | 第44-47页 |
| ·氧压对LiNbO_3／Si(111)薄膜生长的影响 | 第47-48页 |
| ·靶材与衬底的距离对LiNbO_3／Si(111)薄膜生长的影响 | 第48-50页 |
| ·激光频率对LiNbO_3／Si(111)薄膜生长的影响 | 第50-51页 |
| ·退火对LiNbO_3／Si(111)薄膜质量的影响 | 第51-54页 |
| ·LiNbO_3／Si(111)薄膜微结构与光学性能表征 | 第54-57页 |
| ·ZnO／Si衬底上生长LiNbO_3薄膜 | 第57-67页 |
| ·ZnO缓冲层的制备 | 第57-58页 |
| ·衬底温度对LiNbO_3／ZnO／Si薄膜生长的影响 | 第58-60页 |
| ·氧压对LiNbO_3／ZnO／Si薄膜生长的影响 | 第60-61页 |
| ·靶材与衬底的距离对LiNbO_3／ZnO／Si薄膜生长的影响 | 第61-62页 |
| ·缓冲层厚度对LiNbO_3／ZnO／Si薄膜生长的影响 | 第62-63页 |
| ·LiNbO_3／ZnO／Si薄膜微结构与光学性能表征 | 第63-64页 |
| ·LiNbO_3／ZnO／Si薄膜的化学组分分析 | 第64-67页 |
| ·其它衬底上生长LiNbO_3薄膜 | 第67-73页 |
| ·Si(100)衬底上生长LiNbO_3薄膜 | 第67-68页 |
| ·玻璃衬底上生长LiNbO_3薄膜 | 第68-69页 |
| ·蓝宝石衬底上生长LiNbO_3薄膜 | 第69-73页 |
| ·不同衬底上薄膜的表面形貌与晶体质量比较 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第五章 结论 | 第76-77页 |
| 硕士期间已投递论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
