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3d~1(Ti~(3+)、V~(4+))离子在八面体四角晶场中EPR参量的理论研究

摘要第1-6页
英文摘要第6-8页
第一章 前言第8-12页
第二章 晶体场理论第12-23页
   ·晶体场理论概述第12-13页
   ·晶体场主要内容第13-17页
     ·晶体场势的一般形式第13-14页
     ·晶体场分裂I—不考虑H_(so)第14-15页
     ·晶场分裂—考虑H_(so)第15-16页
     ·晶场矩阵元的计算第16-17页
   ·晶体场模型第17-19页
     ·点电荷模型(Point-charge Model)第17-18页
     ·点电荷—偶极模型第18页
     ·重叠模型第18-19页
   ·3d~1离子的晶体场理论第19-23页
     ·基本理论第19-20页
     ·3d~1离子在四角场中的能级分裂第20-23页
第三章 电子顺磁共振理论第23-28页
   ·电子顺磁共振的基本原理第23页
   ·线型、线宽第23-24页
   ·g 因子第24-25页
   ·精细结构第25-26页
   ·超精细结构第26页
   ·自旋哈密顿理论第26-28页
第四章 3d~1电子在D_(4h)场中的EPR 谱研究第28-43页
   ·EPR 参量在压缩D_(4h)场中的高阶微扰公式第28-33页
   ·ABF_3:Ti~(3+)系列的EPR 谱研究第33-38页
   ·CaO: Ti~(3+)的EPR 参量研究第38-39页
   ·SrTiO_3:V~(4+)的EPR 参量研究第39-43页
第五章 主要结论第43-44页
参考文献第44-47页
声明第47-48页
致谢第48页

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