二氧化钛基压敏陶瓷制备及性能研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·主要压敏陶瓷 | 第10-12页 |
| ·ZnO压敏陶瓷 | 第10页 |
| ·SrTiO_3压敏陶瓷 | 第10-11页 |
| ·TiO_2系压敏陶瓷 | 第11页 |
| ·其它压敏电阻 | 第11-12页 |
| ·TiO_2压敏陶瓷的发展与现状 | 第12-13页 |
| ·影响TiO_2压敏陶瓷的主要因素 | 第13-15页 |
| ·结构的影响 | 第13-14页 |
| ·掺杂的影响 | 第14-15页 |
| ·工艺的影响 | 第15页 |
| ·TiO_2压敏陶瓷存在的问题及发展趋势 | 第15-18页 |
| ·优选组分 | 第15-16页 |
| ·改进工艺 | 第16页 |
| ·提高性能 | 第16-17页 |
| ·完善理论 | 第17页 |
| ·多功能化 | 第17页 |
| ·参数系列化 | 第17-18页 |
| ·开发低维材料 | 第18页 |
| ·TiO_2压敏电阻的市场前景 | 第18-19页 |
| ·本课题的来源、研究目的及意义 | 第19-20页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第20页 |
| ·小结 | 第20-21页 |
| 第二章 基础理论 | 第21-34页 |
| ·压敏陶瓷的概念 | 第21页 |
| ·压敏电阻器的电学参数 | 第21-25页 |
| ·电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性 | 第21-23页 |
| ·非线性系数 | 第23页 |
| ·压敏电压 | 第23页 |
| ·材料常数 | 第23-24页 |
| ·漏电流 | 第24页 |
| ·电压温度系数 | 第24页 |
| ·压敏电阻器的蜕变和通流量 | 第24-25页 |
| ·基本物理原理 | 第25-31页 |
| ·微观结构 | 第25-27页 |
| ·半导化 | 第27页 |
| ·绝缘化 | 第27页 |
| ·化学计量比偏离 | 第27-28页 |
| ·掺杂 | 第28页 |
| ·电容性 | 第28-29页 |
| ·压敏性 | 第29页 |
| ·晶界势垒 | 第29-31页 |
| ·晶粒电阻率的测量 | 第31-34页 |
| ·冲击大电流法 | 第32页 |
| ·高频等效电路法 | 第32-34页 |
| 第三章 实验过程 | 第34-38页 |
| ·实验原料 | 第34-35页 |
| ·实验设备 | 第35-36页 |
| ·工艺流程 | 第36-38页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第38-57页 |
| ·受主掺杂改性研究 | 第38-47页 |
| ·实验配方 | 第38页 |
| ·结果与分析 | 第38-43页 |
| ·烧结温度对电学性能的影响 | 第43-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| ·新工艺的探索 | 第47-52页 |
| ·实验配方 | 第47页 |
| ·实验过程 | 第47页 |
| ·结果与分析 | 第47-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| ·稀土改性添加的研究 | 第52-57页 |
| ·实验配方 | 第52页 |
| ·实验过程 | 第52页 |
| ·结果与分析 | 第52-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第五章 表面层效应初步研究 | 第57-69页 |
| ·表面层现象 | 第57-60页 |
| ·表面层的初步研究 | 第60-66页 |
| ·实验配方 | 第60页 |
| ·分析与讨论 | 第60-66页 |
| ·表面氧化层的起源 | 第66-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 第六章 压敏与介电性能的模拟分析 | 第69-82页 |
| ·连接类型 | 第69页 |
| ·压敏陶瓷结构的转换 | 第69-70页 |
| ·模型的提出 | 第70-71页 |
| ·压敏陶瓷电阻的计算 | 第71-74页 |
| ·晶粒半导化和晶界绝缘化的模拟分析 | 第74-77页 |
| ·晶粒生长的模拟分析 | 第77-78页 |
| ·介电性能的模拟分析 | 第78-80页 |
| ·小结 | 第80-82页 |
| 第七章 结论 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-91页 |
| 附录 | 第91-92页 |
| 附录A: 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第91-92页 |
| 附录B: 攻读硕士学位期间所从事的主要研究 | 第92页 |
