亚波长抗反射光栅的设计分析与制作
| 第一章 引言 | 第1-21页 |
| ·亚波长衍射光学元件的应用 | 第9-11页 |
| ·抗反射表面 | 第9-10页 |
| ·偏振器件 | 第10页 |
| ·窄带滤波器 | 第10页 |
| ·位相板 | 第10-11页 |
| ·亚波长光栅的理论分析方法 | 第11-14页 |
| ·等效介质理论 | 第12-13页 |
| ·模态法和耦合波法 | 第13-14页 |
| ·亚波长光栅的制作工艺 | 第14-19页 |
| ·掩模版的制作 | 第15-16页 |
| ·图案转移 | 第16-17页 |
| ·刻蚀方法 | 第17页 |
| ·复制技术 | 第17-19页 |
| ·干型光聚合物紫外成型压模技术(DPE) | 第17-19页 |
| ·熔胶凝胶法(so1-ge1) | 第19页 |
| ·本论文的主要工作 | 第19-21页 |
| 第二章 亚波长抗反射光栅的设计分析 | 第21-40页 |
| ·严格耦合波法对亚波长光栅的求解 | 第21-26页 |
| ·亚波长抗反射光栅的设计分析 | 第26-39页 |
| ·光栅周期对反射率的影响 | 第26-27页 |
| ·沟槽深度对制作工艺的影响 | 第27-28页 |
| ·占空比对光栅反射率的影响 | 第28-32页 |
| ·等效介质理论的有效性 | 第29-30页 |
| ·反射率随占空比的变化 | 第30-32页 |
| ·周期、占空比和沟槽深度的最佳结合问题 | 第32页 |
| ·表面面形对亚波长抗反射光栅反射率的影响 | 第32-34页 |
| ·材料的折射率对对光栅临界周期点的影响 | 第34-39页 |
| ·临界周期点的计算及曲线拟合 | 第35-37页 |
| ·临界周期点随折射率变化规律的适用性 | 第37-39页 |
| ·应用举例 | 第39页 |
| ·结论 | 第39-40页 |
| 第三章 离子束刻蚀工艺 | 第40-56页 |
| ·衍射光学元件制作的工艺流程 | 第40-47页 |
| ·曝光过程 | 第40-42页 |
| ·基片预处理 | 第40-41页 |
| ·涂胶 | 第41页 |
| ·前烘 | 第41页 |
| ·曝光 | 第41-42页 |
| ·显影过程 | 第42-43页 |
| ·显影 | 第42页 |
| ·漂洗 | 第42-43页 |
| ·后烘 | 第43页 |
| ·刻蚀过程 | 第43-46页 |
| ·刻蚀 | 第43-45页 |
| ·去胶 | 第45页 |
| ·检测 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| ·亚微米尺寸元件的离子束刻蚀制作 | 第47-51页 |
| ·掩膜的制作 | 第47-48页 |
| ·亚微米元件的刻蚀制作 | 第48-50页 |
| ·离子束入射角的选择 | 第48页 |
| ·离子能量和束流密度的选择 | 第48页 |
| ·元件的检测 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| ·光束整形元件和菲涅耳透镜的制作 | 第51-56页 |
| ·光束整形元件的离子束刻蚀制作 | 第51-54页 |
| ·菲涅耳透镜的制作 | 第54-55页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| 第四章 亚波长抗反射光栅的制作 | 第56-61页 |
| ·元件设计 | 第56页 |
| ·光栅的制作 | 第56-58页 |
| ·掩模版的制作 | 第57页 |
| ·图案的转移 | 第57-58页 |
| ·等离子体辅助刻蚀制作 | 第58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-60页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 作者简介 | 第71-72页 |
| 在读期间发表和待发表的学术论文 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
