金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究
| 第一章 硅基低维发光材料的研究概况 | 第1-26页 |
| ·硅基发光材料的研究意义 | 第10-11页 |
| ·硅基发光材料的研究进展 | 第11-15页 |
| ·我们研究小组以前的研究工作 | 第15-16页 |
| ·主要的发光模型 | 第16-20页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第20-26页 |
| 第二章 薄膜的制备和表征 | 第26-35页 |
| ·薄膜的制备 | 第26-30页 |
| ·射频磁控溅射沉积技术 | 第26-27页 |
| ·双离子束溅射沉积技术 | 第27-29页 |
| ·基片 | 第29页 |
| ·电致发光器件的制作 | 第29-30页 |
| ·薄膜的表征 | 第30-35页 |
| ·膜厚的测量 | 第30-31页 |
| ·X射线衍射分析 | 第31-32页 |
| ·透射电子显微镜以及选区电子衍射 | 第32页 |
| ·光电子能谱分析 | 第32-35页 |
| 第三章 薄膜的结构 | 第35-47页 |
| ·Si-SiO_2薄膜的结构 | 第35-39页 |
| ·Ge-SiO_2薄膜的结构 | 第39-42页 |
| ·Al-Si-SiO_2薄膜的结构 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 薄膜的光吸收特性 | 第47-61页 |
| ·引言 | 第47-49页 |
| ·Ge-SiO_2薄膜的光吸收特性 | 第49-57页 |
| ·Si-SiO_2薄膜的光吸收特性 | 第57-59页 |
| ·Al-Si-SiO_2薄膜的光吸收特性 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 薄膜的光致发光特性的研究 | 第61-73页 |
| ·引言 | 第61-63页 |
| ·固体的发光 | 第61-62页 |
| ·光致发光的原理 | 第62-63页 |
| ·Si-SiO_2薄膜的室温光致发光 | 第63-66页 |
| ·Ge-SiO_2薄膜的室温光致发光 | 第66-69页 |
| ·Al-Si-SiO_2薄膜的室温光致发光 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 第六章 薄膜的电致发光特性的研究 | 第73-87页 |
| ·电致发光的原理 | 第73-74页 |
| ·Ge-SiO_2薄膜的室温光致发光 | 第74-77页 |
| ·Al-Si-SiO_2薄膜的室温光致发光 | 第77-81页 |
| ·讨论 | 第81-84页 |
| ·三种薄膜的电致发光特性 | 第81-83页 |
| ·薄膜光致发光与电致发光的差别 | 第83-84页 |
| ·金属掺杂对发光效率的影响 | 第84-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 第七章 结论 | 第87-90页 |
| 博士期间以第一作者发表论文目录 | 第90-92页 |
| 本论文创新性说明 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
