摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
1 绪论 | 第9-22页 |
·引言 | 第9页 |
·图案化多孔硅的国内外研究现状 | 第9-20页 |
·PPS 制备方法 | 第9-10页 |
·PPS 形成机理 | 第10-13页 |
·PPS 特殊的理化性质 | 第13-17页 |
·PPS 潜在应用领域 | 第17-20页 |
·多孔硅爆炸性能研究现状 | 第20-21页 |
·论文研究目的及研究内容 | 第21-22页 |
·论文的研究目的 | 第21页 |
·论文主要研究内容 | 第21-22页 |
2 实验 | 第22-29页 |
·实验仪器与试剂 | 第22页 |
·仪器 | 第22页 |
·材料与试剂 | 第22页 |
·图案化多孔硅的制备 | 第22-25页 |
·图案设计 | 第22-23页 |
·光刻工艺 | 第23页 |
·氧化装置设计 | 第23-24页 |
·制备流程 | 第24-25页 |
·图案化多孔硅的表征 | 第25-26页 |
·结构参数测定 | 第25页 |
·微观结构 | 第25页 |
·表面化学组成 | 第25-26页 |
·发光性能 | 第26页 |
·多孔硅的储存 | 第26-27页 |
·多孔硅储存方法 | 第26页 |
·储存时间对发光性能和爆炸性能影响 | 第26-27页 |
·储存方法对表面化学组成影响 | 第27页 |
·图案化多孔硅含能材料制备及其爆炸性能评价 | 第27-29页 |
·图案化多孔硅含能材料制备方法 | 第27页 |
·图案化多孔硅含能材料爆炸性能评价 | 第27-29页 |
3 结果与讨论 | 第29-54页 |
·图案化多孔硅制备条件对其理化性质的影响 | 第29-38页 |
·电化学阳极氧化条件对多孔硅理化性质的影响 | 第29-34页 |
·氮化硅保护层的形貌与图案尺寸变化 | 第34-38页 |
·图案化多孔硅理化性质变化特征 | 第38-44页 |
·图案化多孔硅微结构 | 第38-41页 |
·图案化多孔硅表面化学组成 | 第41-43页 |
·图案化多孔硅发光性质 | 第43-44页 |
·图案化多孔硅含能材料爆炸性能 | 第44-54页 |
·图案化多孔硅爆炸性能 | 第44-45页 |
·孔隙率(P)、膜层厚度(d)、孔总体积(Vp)对爆炸性能的影响 | 第45-47页 |
·贮存方法对多孔硅爆炸性能的影响 | 第47-50页 |
·图案化多孔硅含能材料爆炸机理初探 | 第50-54页 |
4 结论与展望 | 第54-56页 |
·结论 | 第54-55页 |
·展望 | 第55-56页 |
致谢 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-62页 |
附录 | 第62-64页 |
A. 作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第62-64页 |