| 中文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-33页 |
| ·纳米材料 | 第9-13页 |
| ·纳米材料的特点 | 第9-12页 |
| ·纳米材料的种类 | 第12-13页 |
| ·量子点的概念及其物理特性 | 第13-18页 |
| ·量子点的概念 | 第13-14页 |
| ·量子点的发光原理和发光特性 | 第14-18页 |
| ·半导体纳米颗粒的合成 | 第18-22页 |
| ·半导体纳米颗粒的模板辅助合成 | 第19页 |
| ·有机前驱体高温分解法 | 第19-22页 |
| ·碳纳米管的研究现状 | 第22-28页 |
| ·纳米管的性质 | 第23页 |
| ·碳纳米管的应用 | 第23-28页 |
| ·本论文的研究工作的思路﹑意义 | 第28-29页 |
| ·选题思路及意义 | 第28-29页 |
| ·论文主要结构 | 第29页 |
| 参考文献 | 第29-33页 |
| 第二章 单分散CdSe 纳米颗粒和CdSe/CdS 核壳结构纳米颗粒合成 | 第33-51页 |
| ·引言 | 第33-35页 |
| ·实验部分 | 第35-39页 |
| ·CdSe 纳米颗粒/纳米晶的制备 | 第35-36页 |
| ·合成反应体系的选择 | 第35页 |
| ·实验试剂 | 第35页 |
| ·样品的制备 | 第35-36页 |
| ·CdSe/CdS 核壳结构的制备 | 第36-39页 |
| ·CdSe 纳米晶的转移 | 第37-38页 |
| ·实验试剂 | 第38页 |
| ·实验部分 | 第38-39页 |
| ·分析手段 | 第39-40页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第39页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第39页 |
| ·吸收光谱 | 第39-40页 |
| ·光致发光光谱 | 第40页 |
| ·测试仪器 | 第40页 |
| ·结果和讨论 | 第40-46页 |
| ·CdSe 荧光性能的讨论 | 第40-42页 |
| ·时间对CdSe 纳米颗粒性质的影响 | 第40-42页 |
| ·TOPO 和ODA 合成体系对纳米晶的影响 | 第42页 |
| ·CdSe/CdS 核壳结构的纳米晶的荧光性能的分析 | 第42-44页 |
| ·核壳结构纳米晶和核的对比分析 | 第44-46页 |
| ·1 产物的形貌结构分析 | 第45页 |
| ·产物的荧光光谱分析 | 第45-46页 |
| ·荧光的机理探讨 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 第三章 量子点和碳纳米管的复合 | 第51-69页 |
| ·引言 | 第51-54页 |
| ·研究背景 | 第51-52页 |
| ·复合方法的选择 | 第52-53页 |
| ·纳米管的选择 | 第53-54页 |
| ·实验部分 | 第54-56页 |
| ·实验试剂 | 第54页 |
| ·样品的制备 | 第54-56页 |
| ·样品的表征 | 第56页 |
| ·结果和讨论 | 第56-63页 |
| ·复合后的异质结构的分析 | 第56-59页 |
| ·异质结的形貌分析 | 第56-57页 |
| ·异质结的光谱分析 | 第57-59页 |
| ·不同浓度的量子点和相同纳米管的复合后的异质结的分析 | 第59-63页 |
| ·形貌分析 | 第59-60页 |
| ·XPS 分析 | 第60-62页 |
| ·样品的光致发光谱图分析 | 第62-63页 |
| ·选择二氧化硅修饰的纳米管的机理探讨 | 第63-65页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第四章 工作总结和未来展望 | 第69-71页 |
| ·工作总结 | 第69-70页 |
| ·问题与展望 | 第70-71页 |
| 硕士期间完成的论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
