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极性半导体三元混晶及其低维系统中的声子极化激元

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-14页
第一章 绪论第14-25页
 §1.1 研究背景第14-22页
 §1.2 论文研究内容及安排第22-25页
第二章 三元混晶中的体声子极化激元第25-34页
 §2.1 理论模型第25-28页
 §2.2 数值计算与结果讨论第28-33页
 §2.3 结论第33-34页
第三章 三元混晶的表面声子极化激元第34-42页
 §3.1 理论模型第34-35页
 §3.2 数值计算与结果讨论第35-40页
 §3.3 结论第40-42页
第四章 三元混晶膜的表面声子极化激元第42-55页
 §4.1 理论模型第42-44页
 §4.2 数值计算与结果讨论第44-54页
 §4.3 结论第54-55页
第五章 三元混晶双层薄膜系统的表面和界面声子极化激元第55-69页
 §5.1 表面和界面声子极化激元的色散公式第55-57页
 §5.2 极化激元的色散关系和电场分布第57-66页
 §5.3 一些特殊的异质结构系统第66-68页
 §5.4 结论第68-69页
第六章 量子阱的界面声子极化激元第69-80页
 §6.1 理论模型第69-71页
 §6.2 数值计算与结果讨论第71-79页
 §6.3 结论第79-80页
第七章 量子线的表面声子极化激元第80-88页
 §7.1 理论模型第80-83页
 §7.2 数值计算与结果讨论第83-87页
 §7.3 结论第87-88页
第八章 总结第88-90页
参考文献第90-103页
致谢第103-104页
攻读学位期间发表和完成的论文第104页

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