| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 第一章 文献综述 | 第12-27页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·锗纳米线的制备方法 | 第12-18页 |
| ·溶剂热合成法 | 第12-14页 |
| ·加金属催化剂 | 第12-14页 |
| ·不加金属催化剂 | 第14页 |
| ·CVD 法 | 第14-15页 |
| ·模板法 | 第15-16页 |
| ·激光烧蚀法 | 第16-17页 |
| ·其他方法 | 第17-18页 |
| ·锗纳米线的性能 | 第18-21页 |
| ·电学性能 | 第18-19页 |
| ·光学性能 | 第19-20页 |
| ·其他性能 | 第20-21页 |
| ·锗纳米线的应用 | 第21-24页 |
| ·锗纳米线应用前的处理 | 第21-22页 |
| ·在场效应晶体管（FET）方面的应用 | 第22-24页 |
| ·选题的目的、意义及主要内容 | 第24-27页 |
| ·选题的目的与意义 | 第24-25页 |
| ·主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 锗纳米线的制备过程及表征方法 | 第27-35页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·原料及设备 | 第27-29页 |
| ·制备流程 | 第29-30页 |
| ·基本工艺参数的确定 | 第30-32页 |
| ·原料比率的确定 | 第30页 |
| ·制备温度、压力的确定 | 第30页 |
| ·容器填充度的确定 | 第30-32页 |
| ·分析表征方法 | 第32-35页 |
| ·显微形貌的观察与成分分析 | 第32页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第32页 |
| ·能谱分析（EDS） | 第32页 |
| ·透射电子显微镜（TEM）及高分辨透射电子显微镜（HRTEM） | 第32页 |
| ·结构分析 | 第32-33页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第32页 |
| ·拉曼（Raman）光谱 | 第32-33页 |
| ·红外（IR）光谱 | 第33页 |
| ·紫外吸收（UV-vis）光谱 | 第33页 |
| ·光致发光（PL）光谱 | 第33-35页 |
| 第三章 不同锗源及衬底条件下锗纳米线的制备 | 第35-52页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·不同锗源时锗纳米线的制备 | 第35-46页 |
| ·锗、二氧化锗的混合物作为锗源 | 第36-39页 |
| ·SEM、EDS 能谱分析 | 第36-37页 |
| ·XRD 分析 | 第37-38页 |
| ·TEM 分析 | 第38页 |
| ·HRTEM 分析 | 第38-39页 |
| ·锗粉作为锗源 | 第39页 |
| ·二氧化锗作为锗源 | 第39-43页 |
| ·XRD 分析 | 第40-41页 |
| ·SEM、EDS 及TEM 分析 | 第41-42页 |
| ·HRTEM 分析 | 第42-43页 |
| ·水热沉积锗纳米线的生长机理分析 | 第43-46页 |
| ·其他衬底时锗纳米线的制备 | 第46-51页 |
| ·镍片作为衬底 | 第47页 |
| ·硅片作为衬底 | 第47-49页 |
| ·铁片作为衬底 | 第49页 |
| ·锌片作为衬底 | 第49-50页 |
| ·铝片作为衬底 | 第50-51页 |
| 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 水热条件对锗纳米线形成的影响 | 第52-68页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·温度对锗纳米线形成的影响 | 第52-59页 |
| ·压力对锗纳米线形成的影响 | 第59-60页 |
| ·保温保压时间对锗纳米线形成的影响 | 第60-62页 |
| ·低温条件下锗纳米线的生长机理分析 | 第62-66页 |
| 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 锗纳米线的光谱及光学性能 | 第68-76页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·IR 光谱分析 | 第68-70页 |
| ·Raman 光谱分析 | 第70-72页 |
| ·UV-vis 光谱分析 | 第72-73页 |
| ·PL 性能分析 | 第73-75页 |
| 本章小结 | 第75-76页 |
| 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 在学研究成果 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85页 |