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半导体量子阱中量子隧穿感应的克尔非线性增强效应的理论研究

内容提要第1-7页
第1章 绪论第7-14页
   ·电磁感应光透明的研究历史与现状第7-10页
   ·电磁感应光透明的基本理论第10-14页
第2章 研究原子相干现象的半经典理论描述第14-26页
   ·描述量子系统的三种基本图象第14-19页
   ·场与物质相互作用的量子力学方程第19-26页
     ·原子算符表示和旋转波近似第19-21页
     ·密度算符和密度矩阵第21-23页
     ·极化强度的密度矩阵元表示及复极化率第23-26页
第3章 半导体量子阱结构中量子相干效应研究概况第26-35页
   ·半导体量子阱结构中量子相干效应研究概况第26-29页
   ·量子阱结构中能级和波函数的求解过程及参数依赖关系第29-35页
     ·量子阱结构中能级和波函数的求解过程第29-33页
     ·量子阱结构中能级和波函数的参数依赖关系第33-35页
第4章 半导体量子阱中量子隧穿感应的克尔非线性增强效应的理论研究第35-50页
   ·量子阱结构中 Fano 干涉的实现第35-40页
     ·Fano 干涉简介第35-36页
     ·模型描述第36-37页
     ·理论推导第37-38页
     ·数值计算及图象描述第38-40页
   ·半导体量子阱中量子隧穿感应的克尔非线性增强效应第40-50页
     ·模型描述第40-41页
     ·理论推导第41-43页
     ·数值计算及参数讨论第43-50页
论文总结第50-52页
参考文献第52-58页
摘要第58-64页
Abstract第64-70页
致谢第70页

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