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ZnSe薄膜的电沉积法制备及其性能表征

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-7页
第一章 绪论第7-19页
   ·研究背景第7-9页
   ·电化学的简介与发展第9-10页
   ·电化学的应用第10-11页
   ·电化学制备纳米晶体的发展前景第11-12页
   ·ZnSe晶体的理化性质第12-16页
   ·ZnSe的应用第16-18页
   ·论文的研究目的及内容第18-19页
第二章 ZnSe薄膜材料的制备技术第19-29页
   ·引言第19页
   ·化学气相沉积法第19-20页
   ·物理气相沉积法第20-21页
   ·分子束外延生长法第21-22页
   ·热壁外延法第22-23页
   ·金属有机物化学气相沉积法第23页
   ·化学浴沉积法第23-24页
   ·脉冲激光沉积法第24-25页
   ·电化学沉积法第25页
   ·电沉积简介第25-27页
   ·电沉积ZnSe薄膜的方式第27-29页
第三章 实验部分第29-37页
   ·实验所用原料及设备第29-30页
   ·实验原理第30-31页
   ·相关理论第31-34页
   ·沉积电位的计算第34-35页
   ·ZnSe的沉积过程第35页
   ·实验方法第35-37页
第四章 结果与讨论第37-47页
   ·电沉积参数对ZnSe薄膜的影响第37-42页
   ·电沉积ZnSe的正交实验第42-44页
   ·ZnSe薄膜的表征第44-47页
结论第47-48页
致谢第48-49页
参考文献第49-52页

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