| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·CIS(CIGS)薄膜太阳能电池的结构 | 第9-10页 |
| ·CIS(CIGS)薄膜太阳能电池研究现状 | 第10-19页 |
| ·CIS(CIGS)薄膜的制备方法 | 第11-15页 |
| ·CIS(CIGS)吸收层的掺杂改性 | 第15-16页 |
| ·CIS(CIGS)缺陷研究 | 第16-17页 |
| ·CIGS电池缓冲层研究现状 | 第17-19页 |
| ·研究目标和研究内容 | 第19-24页 |
| ·研究目的和意义 | 第19-21页 |
| ·研究工艺路线 | 第21页 |
| ·拟解决的关键问题 | 第21-24页 |
| 第二章 电沉积制备CIGS薄膜 | 第24-42页 |
| ·电沉积制备CIGS机理 | 第24-28页 |
| ·CIGS薄膜电化学反应原理 | 第24-25页 |
| ·电极极化曲线 | 第25-26页 |
| ·水溶液中电沉积制备CIGS | 第26-28页 |
| ·离子溶液中一步电沉积制备CIGS薄膜 | 第28-39页 |
| ·沉积电压的影响 | 第29-31页 |
| ·Cu~(2+)离子浓度的影响 | 第31-32页 |
| ·In~(3+)离子浓度的影响 | 第32-34页 |
| ·Ga~(3+)离子浓度的影响 | 第34-35页 |
| ·SeO_3~(2-)离子浓度的影响 | 第35-37页 |
| ·溶液pH值对制备CIGS薄膜的影响 | 第37-39页 |
| ·大面积CIGS薄膜的制备 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-42页 |
| 第三章 涂覆法制备CIS薄膜 | 第42-66页 |
| ·溶剂热合成CuInS_2纳米粉体 | 第42-49页 |
| ·高压溶剂热合成CuInS_2纳米粉体 | 第42-45页 |
| ·常压溶剂热合成CuInS_2纳米粉体合成 | 第45-49页 |
| ·In_2S_3/CuS核壳结构微粉合成 | 第49-54页 |
| ·In_2S_3/CuS结构微粉的形貌和结构 | 第50-53页 |
| ·表面活性剂对In_2S_3/CuS粉体形貌的影响 | 第53-54页 |
| ·高压溶剂热合成CuInSe_2纳米粉体 | 第54-58页 |
| ·溶剂对高压溶剂热合成CuInSe_2纳米粉体物相的影响 | 第54-55页 |
| ·温度对高压溶剂热合成CuInSe_2纳米粉体物相的影响 | 第55-57页 |
| ·保温时间对高压溶剂热合成CuInSe_2纳米粉体物相的影响 | 第57-58页 |
| ·涂覆法制备CIS薄膜 | 第58-65页 |
| ·热处理对薄膜致密化的影响 | 第58-64页 |
| ·热处理气氛对薄膜致密化的影响 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第四章 ZnS缓冲层制备 | 第66-90页 |
| ·ZnS缓冲层化学水浴法制备机理 | 第67-68页 |
| ·化学水浴法制备ZnS薄膜 | 第68-87页 |
| ·络合剂作用 | 第68-70页 |
| ·沉积温度对ZnS薄膜的影响 | 第70-73页 |
| ·超声振荡对水浴法制备ZnS薄膜的影响 | 第73-76页 |
| ·沉积时间对ZnS薄膜的影响 | 第76-80页 |
| ·反应溶液pH对ZnS薄膜的影响 | 第80-82页 |
| ·反应溶液浓度对ZnS薄膜的影响 | 第82-85页 |
| ·大面积ZnS薄膜的制备 | 第85-87页 |
| ·小结 | 第87-90页 |
| 第五章 CIGS薄膜光伏性能研究 | 第90-96页 |
| ·PEC对电沉积CIGS薄膜的研究 | 第91-92页 |
| ·PEC对涂覆法制备CIS薄膜的研究 | 第92-96页 |
| 第六章 结论 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文和专利 | 第110-111页 |
