| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-26页 |
| ·前言 | 第7-9页 |
| ·无铅电子陶瓷介质材料发展现状 | 第9-13页 |
| ·BaTiO_3 系陶瓷介质材料 | 第9-10页 |
| ·SrTiO_3 系陶瓷介质材料 | 第10页 |
| ·(Ba,Sr)TiO_3 基陶瓷介质材料 | 第10页 |
| ·(Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3 基陶瓷介质材料 | 第10-11页 |
| ·NaNbO_3 基陶瓷介质材料 | 第11页 |
| ·钨青铜结构化合物 | 第11页 |
| ·反铁电陶瓷介质材料 | 第11-12页 |
| ·含铋层状结构化合物 | 第12-13页 |
| ·BaTiO_3 基陶瓷介质材料概述 | 第13-19页 |
| ·BaTiO_3 晶体的结构 | 第13-14页 |
| ·BaTiO_3 晶体的介电常数 | 第14-15页 |
| ·BaTiO_3 晶体的介电损耗 | 第15-16页 |
| ·BaTiO_3 晶体的电阻 | 第16页 |
| ·BaTiO_3 晶体的电击穿强度 | 第16页 |
| ·BaTiO_3 系电子陶瓷粉体的制备方法 | 第16-19页 |
| ·电容器制造工艺 | 第19-20页 |
| ·电容器结构 | 第19页 |
| ·成型工艺 | 第19-20页 |
| ·烧成工艺 | 第20页 |
| ·电极工艺 | 第20页 |
| ·钛酸钡系介质材料的掺杂改性 | 第20-26页 |
| ·BaTiO_3 的A 位置换改性 | 第20-22页 |
| ·BaTiO_3 的B 位置换改性 | 第22-24页 |
| ·稀土元素掺杂对BaTiO_3 系介质材料的影响 | 第24-26页 |
| 第二章 实验方案设计与研究方法 | 第26-30页 |
| ·实验药品和主要仪器 | 第26-27页 |
| ·原料规格与配方 | 第26页 |
| ·实验仪器与设备 | 第26-27页 |
| ·实验主要工艺流程和说明 | 第27-29页 |
| ·实验设计与方案 | 第29-30页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第30-55页 |
| ·NiO 的加入对(Ba,Sr)TiO_3 材料介电性能的影响 | 第30-42页 |
| ·NiO 的掺杂量对试样微观结构与形貌的影响 | 第31-32页 |
| ·NiO 的掺杂量对试样介电常数的影响 | 第32-33页 |
| ·NiO 的掺杂量对试样介电损耗的影响 | 第33-34页 |
| ·NiO 的掺杂量对试样居里温度的影响 | 第34-36页 |
| ·NiO 的掺杂量对试样介电常数-温度特性的影响 | 第36-38页 |
| ·NiO 的掺杂量对试样介电损耗-温度特性的影响 | 第38-39页 |
| ·掺杂NiO 试样的弥散性能 | 第39-42页 |
| ·Bi_2O_3 的加入对(Ba,Sr)TiO_3 材料介电性能的影响 | 第42-48页 |
| ·Bi_2O_3 的掺杂量对试样介电常数的影响 | 第42-44页 |
| ·Bi_2O_3 的掺杂量对试样介电损耗的影响 | 第44-45页 |
| ·Bi_2O_3 的掺杂量对试样居里温度的影响 | 第45-46页 |
| ·Bi_2O_3 的掺杂量对试样介电常数-温度特性的影响 | 第46-47页 |
| ·Bi_2O_3 的掺杂量对试样介电损耗-温度特性的影响 | 第47-48页 |
| ·CeO_2 的加入对(Ba,Sr)TiO_3 材料介电性能的影响 | 第48-52页 |
| ·CeO_2 的掺杂量对试样介电常数的影响 | 第48-49页 |
| ·CeO_2 的掺杂量对试样介电损耗的影响 | 第49-52页 |
| ·CeO_2 的掺杂量对试样居里温度的影响 | 第52页 |
| ·工艺条件对(Ba,Sr)TiO_3 材料介电性能的影响 | 第52-55页 |
| ·烧结温度对钛酸锶钡材料介电性能的影响 | 第52-54页 |
| ·保温时间对钛酸锶钡材料介电性能的影响 | 第54-55页 |
| 第四章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
