碳热还原歧化法制备高品质硅的实验研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-26页 |
| ·硅的物理化学性质 | 第8-11页 |
| ·硅的电学性质 | 第9页 |
| ·硅的化学性质 | 第9-10页 |
| ·硅的相图 | 第10-11页 |
| ·国内外多晶硅生产概况 | 第11-12页 |
| ·太阳能级硅制备工艺 | 第12-19页 |
| ·化学法制备太阳能级硅工艺 | 第13-14页 |
| ·冶金法制备太阳能级硅新工艺原理 | 第14-17页 |
| ·冶金法制备太阳能级硅典型工艺 | 第17-19页 |
| ·碳热还原制备高纯硅工艺 | 第19-23页 |
| ·工业硅生产工艺 | 第20页 |
| ·日本高技术研究实验室的研究 | 第20-21页 |
| ·西门子碳热还原工艺 | 第21-22页 |
| ·荷兰能源研究中心碳热还原工艺 | 第22-23页 |
| ·本论文的研究意义和特点 | 第23-24页 |
| ·本工艺的特点和创新点 | 第24-26页 |
| 第二章 实验原理与方法 | 第26-40页 |
| ·金属氧化物的稳定性 | 第26-28页 |
| ·二氧化硅碳热还原热力学分析 | 第28-33页 |
| ·碳热还原各反应发生的温度 | 第28-32页 |
| ·用HSC软件计算的反应发生的温度 | 第32-33页 |
| ·二氧化硅碳热还原动力学 | 第33-36页 |
| ·蒸馏精炼提纯的理论基础 | 第36-38页 |
| ·一氧化硅气体的性质 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 实验内容与操作 | 第40-46页 |
| ·实验方案 | 第40页 |
| ·选料及坩埚选择与制备 | 第40-43页 |
| ·实验设备 | 第43页 |
| ·实验步骤 | 第43-46页 |
| 第四章 实验结果与讨论 | 第46-65页 |
| ·不同的配碳量对歧化生成物量的影响 | 第46-50页 |
| ·碳和二氧化硅物质的量之比为25:12的实验 | 第46-48页 |
| ·碳和二氧化硅物质的量之比为5:3的实验 | 第48-49页 |
| ·物质的量之比为5:4的实验 | 第49-50页 |
| ·歧化生成物微观结构及生长机理分析 | 第50-54页 |
| ·歧化生成物微观结构分析 | 第50-51页 |
| ·歧化生成物生长机理探讨 | 第51-54页 |
| ·酸浸分离二氧化硅 | 第54-58页 |
| ·反应机理探讨 | 第55页 |
| ·酸浸 | 第55-57页 |
| ·酸浸的除杂效果 | 第57-58页 |
| ·生成物物相分析 | 第58-60页 |
| ·实验结果及杂质元素去除分析 | 第60-63页 |
| ·实验结果及原料纯度对实验结果影响 | 第60-62页 |
| ·杂质元素去除原因分析 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结论与展望 | 第65-67页 |
| ·实验结论 | 第65-66页 |
| ·展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 附录 攻读硕士期间参与大的主要工作 | 第73页 |
